場效應管ppt課件-wenkub.com
2025-01-11 13:19 本頁面
【正文】 試分析 ui為 0V、 8V和 10V三種情況下 uo分別為多少伏？ 圖 圖 分析： N溝道增強型 MOS管，開啟電壓 UGS(th) ＝ 4V 解 (1) ui為 0V ，即 uGS＝ ui＝ 0，管子處于夾斷狀態(tài) 所以 u0＝ VDD ＝ 15V (2) uGS＝ ui＝ 8V時， 從輸出特性曲線可知，管子工作 在恒流區(qū)， iD＝ 1mA， u0＝ uDS ＝ VDD iD RD ＝ 10V (3) uGS＝ ui＝ 10V時， 若工作在恒流區(qū)， iD＝ 。 漏極耗散功率轉化為 熱能使管子的溫度升高 。 UiguDSDmGS c on stΔΔ ==單位： iD 毫安 (mA)； uGS 伏 (V)； gm 毫西門子 (mS) 這是場效應管三個電極之間的等效電容 ， 包括 Cgs、 Cgd、 Cds。 為耗盡型場效應管（結型場效應管和耗盡型MOS管）的一個重要參數(shù)。 （ 3） 使用場效應管時各極必須加正確的工作電壓。 iD/mA uGS /V O UGS(off) (a)轉移特性 IDSS 耗盡型 MOS 管的符號 S G D B (b)輸出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS=0 ?3 V ?1 V ?2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 N 溝道耗盡型 MOSFET 三、 P溝道 MOS管 MOS管 的開啟電壓 UGS(th) 0 當 UGS UGS(th) ， 漏 源之間應加負電源電壓 管子才導通 ,空穴導電 。 UGS增加 uiI 2GSD DOG S ( t h )( 1 )U=二、 N 溝道耗盡型 MOS 場效應管 P型襯底 N+ N+ B G S D ++++++ 制造過程中預先在二氧化硅的絕緣層中摻入正離子 ，這些正離子電場在 P 型襯底中 “ 感應 ” 負電荷 ， 形成 “ 反型層 ” 。 此時， 可以把 iD近似看成是 uGS控制的電流源。漏極形成電流 ID 。 這個反型層就構成了漏源之間的導電溝道 。 一、增強型 N 溝道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 1. 結構與符號 P 型襯底 (摻雜濃度低 ) N+ N+ 用擴散的方法 制作兩個 N 區(qū) 在硅片表面生一層薄 SiO2 絕緣層 S D 用金屬鋁引出源極 S 和漏極 D G 在絕緣層上噴金屬鋁引出柵極 G B 耗 盡 層 S — 源極 Source G — 柵極 Gate D — 漏極 Drain S G D B 1. 工作原理 絕緣柵場效應管利用 UGS 來控制 “ 感應電荷 ” 的多少 ， 改變由這些 “ 感應電荷 ” 形成的導電溝道的狀況 ，以控制漏極電流 ID。 絕緣柵型場效應管 MOSFET MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金屬 、 氧化物和半導體制成 。 結型場效應管的缺點： 1. 柵源極間的電阻雖然可達 107以上，但在某些場合仍嫌不夠高。此時， 可以把 iD近似看成 uGS控制的電流源。 在 uGD ＝ uGS － uDS uGS(off)情況下 ， 當 uDS為一常量時 ， 對應于確定的 uGS ， 就有確定的 iD。 ds呈現(xiàn)電阻特性。 當 UGS = UGS（ Off)， 耗盡層合攏 ， 導電溝道被夾斷 . ID = 0 G D S P+ P+ N型溝道 (b) UGS(off) UGS 0 VGG ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS ＜ UGS(off) VGG UGS(off)為夾斷電壓 ,為負值。 符號 G D S 一、結型
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