場效應(yīng)管放大電路(1)-wenkub.com
2025-04-26 05:33 本頁面
【正文】 JFET的特性曲線及參數(shù) c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi2. 轉(zhuǎn)移特性 c o n s t .GSD DS)( ?? vvfi1. 輸出特性 2PGSD S SD )1( VIiv?? (VP≤ vGS≤ 0) 與耗盡型 MOSFET類似 3. 主要參數(shù) JFET的特性曲線及參數(shù) JFET放大電路的小信號模型分析法 1. JFET小信號模型 （ 1）低頻（及中頻）模型 2. 動態(tài)指標分析 （ 1）中頻小信號等效電路 2. 動態(tài)指標分析 （ 2）中頻電壓增益 （ 3）輸入電阻 （ 4）輸出電阻 忽略 rds ， ?iv gsv Rg gsm v? )1( mgs Rg?? v?ov dgsm Rg v??mvARgRgmdm1 ??由輸入輸出回路得 則 )||( g2g1g3i RRRR ??do RR ?end * 砷化鎵金屬 半導體場效應(yīng)管 不作教學要求，有興趣者自學 各種放大電路性能比較 各種 FET特性比較 各種放大器件電路性能比較 N 溝 道 增 強 型 絕緣柵場效應(yīng)管 P 溝 道 增 強 型 各種 FET特性比較 絕緣柵場效應(yīng)管 比較 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 結(jié)型場效應(yīng)管 比較 N 溝 道 P 溝 道 雙極型三極管 場效應(yīng)三極管 噪聲 較大 較小 溫度特性 受溫度影響較大 受溫度影響較小，有零溫度系數(shù)點 輸入電阻 幾十到幾千歐姆 幾兆歐姆以上 靜電影響 不受靜電影響 易受靜電影響 集成工藝 不易大規(guī)模集成 適合于大規(guī)模和超大規(guī)模集成 FET的比較 各種放大器件電路性能比較 組態(tài)對應(yīng)關(guān)系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 電壓增益： BJT FET beLc )||(rRRβ ??)||)(1()||()1(LebeLeRRβrRRβ????beLc )||(rRRβ ?CE： CC： CB： )||||( Lddsm RRrg?)||||(1)||||(LdsmLdsmRRrgRRrg?dsLdLddsm||1)||)(1(rRRRRrg??CS： CD： CG： 各種放大器件電路性能比較 beb || rR輸出電阻： cR? ?)||)(1(|| Lebeb RRβrR ??βrRRR??1)||(|| bebseβrR?1||beecRBJT FET 輸入電阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 很高m1||gR很高CE： CC： CB： CS： CD： CG： dds || Rrmds1||||gRrdds || Rr 各種放大器件電路性能比較 解： 畫中頻小信號等效電路 例題 放大電路如圖所示。 此時 vDS ? 夾斷區(qū)延長 ? 溝道電阻 ? ? iD基本不變 ? JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 ③ vGS和 vDS同時作用時 當 VP vGS0 時，導電溝道更容易夾斷， 對于同樣的 vDS ， iD的值比 vGS=0時的值要小。 PN結(jié)反偏 耗盡層加厚 溝道變窄。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 (例 ） 2)( TGSnD VVKI ??假設(shè)工作在飽和區(qū) (放大區(qū) ） ： 需要驗證是否滿足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)()( dDSSDDDS RRIVVV ????
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