第4章場(chǎng)效應(yīng)管放大電路-wenkub.com
2024-10-07 17:22 本頁(yè)面
【正文】 vGS=0時(shí) iDS ≠ 0（絕對(duì)值達(dá)最大） 轉(zhuǎn)移特性： N溝道 vGS iDS vGS iDS P溝道 23 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析 1 零偏壓電路 2 自偏壓電路 VGS= IDRS VGS=0 Rd VDD s g RG d b 直流偏置電路 Rd VDD s g RG d b RS 適應(yīng)于耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管 適應(yīng)于結(jié)型或耗盡型 MOS管 24 3 分壓式自偏壓電路 VGS可正可負(fù) , 適應(yīng)于任何一種類型 . 靜態(tài)工作點(diǎn)的確定 ※ 根據(jù)外部電路列出線性方程 ※ 列出場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性方程 Rd VDD s g Rg1 d b RS Rg2 Rg3 SDDDgggSGGS RIVRRRVVV ?????212增強(qiáng)型 MOS管 J型、耗盡型 MOS管 的值時(shí)是 DTGSDOTGSDODiVVIVVII2)1( 2???2)1(PGSDSSD VVII ??25 例 .,1,18,2,30,10,47,2321點(diǎn)確定 QmAIVVVVKRKRMRKRMRD S SPDDDggg??????????????DSDDDgggGS IRIVRRRV 212 ?????22 )1()1(GSPGSD S SD VVVII ????mAImAI DD , ??Rg3 s g R Rd VDD Rg1 d Rg2 J型管 iD不能大于 IDSS ID= VRRIVVVVdDDDDSGS)(??????26 FET的小信號(hào)模型分析法 FET的低頻小信號(hào)簡(jiǎn)化模型 g d s gsV?gsmVg ?dsV?FET低頻小信號(hào)模型 rd rgs g d s gsV?gsmVg ?dsV?cgs cgd cds FET高頻小信號(hào)模型 . rgs g d s gsV?gsmVg ?dsV?rd 27 應(yīng)用小信號(hào)模型分析 FET的放大電路 共源放大 : gsdgsmioV VRVgVVA????? ???如果接有外負(fù)載 RL )//( LdmV RRgA ???iV?Rd VDD s g Rg1 d b R Rg2 Rg3 oV?R’g=Rg1//Rg2 R’g Rg3 g d s iV?gsmVg ?oV?Rd RL RL 213 // gggi RRRR ??dmV RgA ???do RR ?28 源極電阻上無(wú)并聯(lián)電容 : 共源電路的特點(diǎn) : 電壓增益大 , 輸出電壓和輸
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