場效應(yīng)管放大電路ppt課件-文庫吧資料
2025-01-18 10:38本頁面
【正文】 日星期三 第四章 62 ?故確定 Q點(diǎn)時： ?對圖 ，可聯(lián)立求解式 ()和式()； ?對圖 ，可聯(lián)立求解式 ()和式()。 ? 2．靜態(tài)工作點(diǎn)的確定 ? 對 FET放大電路的靜態(tài)分析可以采用圖解法或用公式計算，圖解的原理和 BJT相似。分壓器式自偏壓電路是在圖，如圖 。 ?增強(qiáng)型 FET只有柵源電壓先達(dá)到某個開啟電壓 VT時才有漏極電流 ID，因此這類管子不能用于圖 。 ［轉(zhuǎn) 46］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 55 ［轉(zhuǎn) 61］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 56 ?考慮到耗盡型 FET即使在 vGS＝ 0時，也有漏源電流流過 R，而柵極是經(jīng)電阻 Rg接地的，所以在靜態(tài)時柵源之間將有負(fù)柵壓 vGS ＝－IDR。 2022年 2月 9日星期三 第四章 54 ?通常 FET放大電路的偏置形式有兩種。 ?（ 2）不同點(diǎn)： FET是電壓控制器件， BJT是流控器件。如 圖 。 ? 4. 參數(shù) (自學(xué) ) ? 5. 特點(diǎn)： 當(dāng) vGS＝ 0時，沒有導(dǎo)電溝道，只有當(dāng) vGS 0且 vGS ≥VT(開啟電壓 )時，才有導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，而且隨著 vGS 的 增大，導(dǎo)電溝道變寬。 ［轉(zhuǎn) 39］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 45 2022年 2月 9日星期三 第四章 46 2022年 2月 9日星期三 第四章 47 2022年 2月 9日星期三 第四章 48 2022年 2月 9日星期三 第四章 49 ? d. 當(dāng) vDS較大時，近漏端導(dǎo)電溝道將出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象， iD趨于飽和。 ? VT：開啟電壓 在漏源電壓作用下，開始導(dǎo)電時的柵源電壓。 2022年 2月 9日星期三 第四章 42 2022年 2月 9日星期三 第四章 43 2022年 2月 9日星期三 第四章 44 ? 2. 工作原理 (如圖 ) ? a. vGS=0時，無導(dǎo)電溝道 (如圖 )。 2022年 2月 9日星期三 第四章 40 ? 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (自學(xué) ) 2022年 2月 9日星期三 第四章 41 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET) ? N溝道增強(qiáng)型 MOSFET ?1. 結(jié)構(gòu) ?圖 (a)所示，為 N溝道增強(qiáng)型MOSFET的剖面示意圖。 ? JFET的噪聲系數(shù)很小，可達(dá) 下。顯然， PDM 受管子最高工作溫度的限制。 )..(GSDDSd 514 Vivr???2022年 2月 9日星期三 第四章 38 ? (8)最大耗散功率 PDM ? JFET的耗散功率等于 vDS和 iD的乘積，即PDM ＝ vDSiD ，這些耗散在管子中的功率將變?yōu)闊崮?，使管子的溫度升高? 2022年 2月 9日星期三 第四章 36 ?如果手頭沒有 FET的特性曲線，則可利用式()和式 ()近 ?似估算 gm值，即 )..()()()]([GSPPPGSD S SGSPGSD S Sm4140121 時當(dāng) ?。剑?????vVVVvIdvVvIdg2022年 2月 9日星期三 第四章 37 (7)輸出電阻 rd ? 輸出電阻 rd說明了 vDS對 iD的影響，是輸出特性某一點(diǎn)上切線斜率的倒數(shù)。 ? gm 一般在十分之幾至幾 mS的范圍內(nèi)，特殊的可達(dá) 100mS，甚至更高。 2022年 2月 9日星期三 第四章 34 ? (6)低頻互導(dǎo) (跨導(dǎo) )gm ? 在 vDS等于常數(shù)時，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓的微變 ?量之比稱為互導(dǎo) (也稱跨導(dǎo) )，即 )..(CGSDm 314 ????DSvvig2022年 2月 9日星期三 第四章 35 ? 互導(dǎo)反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力。 2022年 2月 9日星期三 第四章 33 ? (4)最大柵源電壓 V(BR)GS ? V(BR)GS 是指輸入 PN結(jié)反向電流開始急劇增加時的 vGS值 。 ? (3)最大漏源電壓 V(BR)DS ? V(BR)DS是指發(fā)生雪崩擊穿、 iD開始急劇上升時的 vDS值。在轉(zhuǎn)移特性上，就是 vGS＝ 0 時的漏極電流 (見圖 )。 ? (2)飽和漏電流 IDSS ? 在 vGS＝ 0的情況下，當(dāng) vDSIVPI時的漏極電流稱為飽和漏電流 IDSS。從物理意義上來說，這時相當(dāng) 于圖 ，達(dá)到全夾斷狀態(tài)。 ? 3. 主要參數(shù) (參閱 P162~163) DSv2022年 2月 9日星期三 第四章
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