場效應(yīng)管放大電路ppt課件(完整版)
【正文】 子拉過夾斷區(qū) (實即耗盡層 )，形成漏極電流，這和 NPN型 BJT在集電結(jié)反偏時仍能把電子拉過耗盡區(qū)基本上是相似的。 PV2022年 2月 9日星期三 第四章 25 ? ② JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS的控制。 ? 2. 轉(zhuǎn)移特性 ?如 圖 。在轉(zhuǎn)移特性上，就是 vGS＝ 0 時的漏極電流 (見圖 )。 ? gm 一般在十分之幾至幾 mS的范圍內(nèi)，特殊的可達 100mS，甚至更高。 ? JFET的噪聲系數(shù)很小，可達 下。 ［轉(zhuǎn) 39］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 45 2022年 2月 9日星期三 第四章 46 2022年 2月 9日星期三 第四章 47 2022年 2月 9日星期三 第四章 48 2022年 2月 9日星期三 第四章 49 ? d. 當 vDS較大時，近漏端導電溝道將出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象， iD趨于飽和。 2022年 2月 9日星期三 第四章 54 ?通常 FET放大電路的偏置形式有兩種。 ? 2．靜態(tài)工作點的確定 ? 對 FET放大電路的靜態(tài)分析可以采用圖解法或用公式計算，圖解的原理和 BJT相似。FET還可用第三個小信號參數(shù) μ來描述， μ稱為電壓放大系數(shù)，它和 gm 、 rd 有如下關(guān)系： μ ＝ gm rd () 2022年 2月 9日星期三 第四章 68 據(jù)此和 gm、 rd的定義 [見式 ()和()]，可導出 ?μ是一個無量綱的數(shù)，同樣可在特性曲線上求出。 ? (2)輸入電阻 Ri=rgs //[Rg3+(Rg1// Rg2 )] 通常 rgs [Rg3+(Rg1// Rg2 )] 故 Ri≈ Rg3+(Rg1// Rg2) () io VV?? 與2022年 2月 9日星期三 第四章 76 ? (3)輸出電阻 Ro≈Rd () 例 典型的共漏電路 —— 源極輸出器如圖 ，試求其中頻電壓增益 Avm、輸入電阻 Ri和輸出電阻 Ro 。 2022年 2月 9日星期三 第四章 86 2022年 2月 9日星期三 第四章 87 ?最后還應(yīng)指出， FET放大電路中的 FET都工作于輸出特性的線性放大區(qū)。這時對應(yīng)于一定的柵源電壓 vGS，則 FET的漏源之間呈現(xiàn)相應(yīng)的電阻 當 vGS 發(fā)生變化，輸出特性的斜率就改變，因此管子呈現(xiàn)的電阻也就跟著發(fā)生變化。 ? (1)中頻電壓增益 ［轉(zhuǎn) 79］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 77 2022年 2月 9日星期三 第四章 78 2022年 2月 9日星期三 第四章 79 由圖 )..()//()//()//)(()//(LmLmiomLoimooigsLgsmo8441 ?。剑接纱说茫海剑剑絉RgRRgRRgRRgVVAVVVVVVVVV????????????2022年 2月 9日星期三 第四章 80 ? 可見，當 gm(R//RL)1時， ≈ 1，共漏極電路屬電壓跟隨器。 ?圖中，輸入電阻 rgs，是柵源間的電阻，由于FET為電壓控制器件，其值極大。由式()有： 2022年 2月 9日星期三 第四章 61 分析圖 b電路 有： 21 )(PGSD S SD VvIi ?＝)..()()..(DDg2g1g2DgsDgs244144 ?。剑 。剑璙RRRRivRiv??2022年 2月 9日星期三 第四章 62 ?故確定 Q點時： ?對圖 ，可聯(lián)立求解式 ()和式()； ?對圖 ，可聯(lián)立求解式 ()和式()。 ［轉(zhuǎn) 46］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 55 ［轉(zhuǎn) 61］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 56 ?考慮到耗盡型 FET即使在 vGS＝ 0時，也有漏源電流流過 R，而柵極是經(jīng)電阻 Rg接地的，所以在靜態(tài)時柵源之間將有負柵壓 vGS ＝－IDR。 ? 4. 參數(shù) (自學 ) ? 5. 特點： 當 vGS＝ 0時，沒有導電溝道，只有當 vGS 0且 vGS ≥VT(開啟電壓 )時，才有導電溝道出現(xiàn)，而且隨著 vGS 的 增大，導電溝道變寬。 2022年 2月 9日星期三 第四章 40 ? 砷化鎵金屬 半導體場效應(yīng)管 (自學 ) 2022年 2月 9日星期三 第四章 41 金屬 氧化物 半導
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