場效應管放大電路ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-08 10:38 本頁面
【文章內容簡介】 ，單位為 mS或 μS。 ? gm 一般在十分之幾至幾 mS的范圍內，特殊的可達 100mS，甚至更高。 ? 值得注意的是，互導隨管子的工作點不同而變，它是 JFET小信號建模的重要參數(shù)之一。 2022年 2月 9日星期三 第四章 36 ?如果手頭沒有 FET的特性曲線，則可利用式()和式 ()近 ?似估算 gm值，即 )..()()()]([GSPPPGSD S SGSPGSD S Sm4140121 時當 ?。剑?????vVVVvIdvVvIdg2022年 2月 9日星期三 第四章 37 (7)輸出電阻 rd ? 輸出電阻 rd說明了 vDS對 iD的影響，是輸出特性某一點上切線斜率的倒數(shù)。在飽和區(qū) (即線性放大區(qū) )， iD 隨 vDS改變很小，因此 rd的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間。 )..(GSDDSd 514 Vivr???2022年 2月 9日星期三 第四章 38 ? (8)最大耗散功率 PDM ? JFET的耗散功率等于 vDS和 iD的乘積，即PDM ＝ vDSiD ，這些耗散在管子中的功率將變?yōu)闊崮埽构茏拥臏囟壬?。為了限制它的溫度不要升得太高，就要限制它的耗散功率不能超過最大數(shù)值 PDM 。顯然， PDM 受管子最高工作溫度的限制。 2022年 2月 9日星期三 第四章 39 ? 除了以上參數(shù)外， JFET還有噪聲系數(shù)、高頻參數(shù)、極間電容等其他參數(shù)。 ? JFET的噪聲系數(shù)很小，可達 下。表 N溝道JFET的主要參數(shù)。 2022年 2月 9日星期三 第四章 40 ? 砷化鎵金屬 半導體場效應管 (自學 ) 2022年 2月 9日星期三 第四章 41 金屬 氧化物 半導體場效應管(MOSFET) ? N溝道增強型 MOSFET ?1. 結構 ?圖 (a)所示，為 N溝道增強型MOSFET的剖面示意圖。 (b)、 (c)為電路符號。 2022年 2月 9日星期三 第四章 42 2022年 2月 9日星期三 第四章 43 2022年 2月 9日星期三 第四章 44 ? 2. 工作原理 (如圖 ) ? a. vGS=0時，無導電溝道 (如圖 )。 ? b. vGSVT時，在絕緣層下方將 感應出 N型導電溝道 (如圖 ) 。 ? VT：開啟電壓 在漏源電壓作用下，開始導電時的柵源電壓。 ? c. 當 絕緣層下方 感應出 N型導電溝道后，在漏源之間加一正向電壓，當 vDS較小時，iD隨著 vDS的增大而迅速增大 (如圖 ) 。 ［轉 39］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 45 2022年 2月 9日星期三 第四章 46 2022年 2月 9日星期三 第四章 47 2022年 2月 9日星期三 第四章 48 2022年 2月 9日星期三 第四章 49 ? d. 當 vDS較大時，近漏端導電溝道將出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象， iD趨于飽和。 ? 3. 特性曲線，如 圖 。 ? 4. 參數(shù) (自學 ) ? 5. 特點： 當 vGS＝ 0時，沒有導電溝道，只有當 vGS 0且 vGS ≥VT(開啟電壓 )時，才有導電溝道出現(xiàn)，而且隨著 vGS 的 增大，導電溝道變寬。 ［轉 41］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 50 2022年 2月 9日星期三 第四章 51 N溝道耗盡型 MOSFET ? N溝道耗盡型 MOSFET與 N溝道增強型MOSFET的 區(qū)別 在于在二氧化硅層中摻有大量的正離子，即使在 vGS＝ 0時，源漏之間舊存在著導電溝道。如 圖 。 ? 各種 FET的特性比較及使用注意事項 (自學 ) ［轉 43］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 52 2022年 2月 9日星期三 第四章 53 FET放大電路 ? FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析 ? 1．直流偏置電路 ? FET與 BJT放大電路比較 ?（ 1）相同點：都要建立合適的 Q點。 ?（ 2）不同點： FET是電壓控制器件， BJT是流控器件。因此它需要有合適的柵極電壓。 2022年 2月 9日星期三 第四章 54 ?通常 FET放大電路的偏置形式有兩種?，F(xiàn)以N溝道耗盡型 JFET為例說明如下： ? (1)自偏壓電路 ?如 圖 ，和 BJT的射極偏置電路相似，通常在源極接入源極電阻 R，就可組成自偏壓電路。 ［轉 46］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 55 ［轉 61］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 56
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