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場效應(yīng)管放大電路ppt課件-免費閱讀

2025-02-05 10:38 上一頁面

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【正文】 如果使其工作于可變電阻區(qū),那么 FET可用作壓控可變電阻。 ? 解: 圖 。 )..(DDDgsdGSDSGSDS444           =-=--?。絀sIIvvvvvv?????2022年 2月 9日星期三 第四章 69 ?如果用 gm 表示電壓 控制的電流源,用rd表示電流源電阻,則作為雙口有源器件的FET(圖 ),也可導(dǎo)出其小信號模型,如圖 。下面討論用公式進行計算以確定 Q點?,F(xiàn)以N溝道耗盡型 JFET為例說明如下: ? (1)自偏壓電路 ?如 圖 ,和 BJT的射極偏置電路相似,通常在源極接入源極電阻 R,就可組成自偏壓電路。 ? 3. 特性曲線,如 圖 。表 N溝道JFET的主要參數(shù)。 ? 值得注意的是,互導(dǎo)隨管子的工作點不同而變,它是 JFET小信號建模的重要參數(shù)之一。 2022年 2月 9日星期三 第四章 31 2022年 2月 9日星期三 第四章 32 ? 對于 JFET來說, IDSS也是管子所能輸出的最大電流。 iD = f (vGS) =C ?轉(zhuǎn)移特性曲線可以從 輸出特性 曲線上獲得。 ? ③ 預(yù)夾斷前, iD 與 vDS呈線性關(guān)系;預(yù)夾斷后, iD趨于飽和。在從源極到夾斷處的溝道上,溝道內(nèi)電場基本上不隨 vDS改變而變化。 [轉(zhuǎn) 17] 2022年 2月 9日星期三 第四章 15 2022年 2月 9日星期三 第四章 16 [轉(zhuǎn) 20] [轉(zhuǎn) 21] 2022年 2月 9日星期三 第四章 17 ?另外,增加 vDS,雖然產(chǎn)生了阻礙漏極電流 iD提高的因素。 ? vGS由零向負值增大時,在反偏電壓vGS作用下,兩個 PN結(jié)的耗盡層 (即耗盡區(qū) )將加寬,使導(dǎo)電溝道變窄,溝道電阻增大,如圖 。圖 (b)為其電路符號, 圖 (c)為實際的 N溝道 JFET的結(jié)構(gòu)剖面圖。 ?分 類:結(jié)型場效應(yīng)管 (JFET)、金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2022年 2月 9日星期三 第四章 3 ?特點:只有一種載流子參與導(dǎo)電 (電子或空穴 )。 2022年 2月 9日星期三 第四章 9 ?因此,討論 JFET的工作原理就是討論 vGS對 iD的控制作用和 vDS對 iD的影響。 2022年 2月 9日星期三 第四章 14 ? (2) vDS對 iD的 影響 ?如圖 。 ?當(dāng) vGS ≠0時,在預(yù)夾斷點 A處 VP與 vGS、 vDS之間有如下關(guān)系: vGD = vGS vDS= VP () 2022年 2月 9日星期三 第四章 20 ?圖 ,對應(yīng)于圖 iD達到了飽和漏極電流 IDSS, IDSS下標(biāo)中的第二個 S表示柵源極間短路的意思。 2022年 2月 9日星期三 第四章 23 2022年 2月 9日星期三 第四章 24 ?分析表明:在 0vDS (預(yù)加斷之前 )時, iD與 vDS呈線性關(guān)系;當(dāng) vDS Vp(預(yù)加斷 )之后, iD 趨于飽和, vDS再增加, iD 變化不大。此區(qū), iD 基本不受 vGS 和 vDS的控制。 ? (2)飽和漏電流 IDSS ? 在 vGS= 0的情況下,當(dāng) vDSIVPI時的漏極電流稱為飽和漏電流 IDSS。 2022年 2月 9日星期三 第四章 34 ? (6)低頻互導(dǎo) (跨導(dǎo) )gm ? 在 vDS等于常數(shù)時,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓的微變 ?量之比稱為互導(dǎo) (也稱跨導(dǎo) ),即 )..(CGSDm 314    ????DSvvig2022年 2月 9日星期三 第四章 35 ? 互導(dǎo)反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力。顯然, PDM 受管子最高工作溫度的限制。 ? VT:開啟電壓 在漏源電壓作用下,開始導(dǎo)電時的柵源電壓。 ?( 2)不同點: FET是電壓控制器件, BJT是流控器件。分壓器式自偏壓電路是在圖,如圖 。 ? FET放大電路的小信號模型分析法 ?當(dāng)輸人信號很小, FET工作在線性放大區(qū) (即輸出特性中的恒流區(qū) )時,可用小信號模型來分析。 ?圖 型,圖中 rd通常在幾百千歐的數(shù)量級,一般負載電阻比 rd小很多,故此時可以認為 rd開路。 2022年 2月 9日星期三 第四章 85 3.三種基本放大電路的性能比較 ?前面分析了共源極電路和共漏極電路,與 BJT的共基極電路對應(yīng)的, FET放大電路也有共柵極電路。 2022年 2月 9日星期三 第四章 88 各種放大器件電路性能比較 ?參閱表 。 ?(2)輸入電阻
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