場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-免費(fèi)閱讀
【正文】 如果使其工作于可變電阻區(qū)，那么 FET可用作壓控可變電阻。 ? 解： 圖 。 )..(DDDgsdGSDSGSDS444 ?。剑剑。絀sIIvvvvvv?????2022年 2月 9日星期三 第四章 69 ?如果用 gm 表示電壓 控制的電流源，用rd表示電流源電阻，則作為雙口有源器件的FET(圖 )，也可導(dǎo)出其小信號(hào)模型，如圖 。下面討論用公式進(jìn)行計(jì)算以確定 Q點(diǎn)。現(xiàn)以N溝道耗盡型 JFET為例說明如下： ? (1)自偏壓電路 ?如 圖 ，和 BJT的射極偏置電路相似，通常在源極接入源極電阻 R，就可組成自偏壓電路。 ? 3. 特性曲線，如 圖 。表 N溝道JFET的主要參數(shù)。 ? 值得注意的是，互導(dǎo)隨管子的工作點(diǎn)不同而變，它是 JFET小信號(hào)建模的重要參數(shù)之一。 2022年 2月 9日星期三 第四章 31 2022年 2月 9日星期三 第四章 32 ? 對(duì)于 JFET來說， IDSS也是管子所能輸出的最大電流。 iD = f (vGS) =C ?轉(zhuǎn)移特性曲線可以從 輸出特性 曲線上獲得。 ? ③ 預(yù)夾斷前， iD 與 vDS呈線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。在從源極到夾斷處的溝道上，溝道內(nèi)電場(chǎng)基本上不隨 vDS改變而變化。 ［轉(zhuǎn) 17］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 15 2022年 2月 9日星期三 第四章 16 ［轉(zhuǎn) 20］ ［轉(zhuǎn) 21］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 17 ?另外，增加 vDS，雖然產(chǎn)生了阻礙漏極電流 iD提高的因素。 ? vGS由零向負(fù)值增大時(shí)，在反偏電壓vGS作用下，兩個(gè) PN結(jié)的耗盡層 (即耗盡區(qū) )將加寬，使導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大，如圖 。圖 (b)為其電路符號(hào)， 圖 (c)為實(shí)際的 N溝道 JFET的結(jié)構(gòu)剖面圖。 ?分 類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 (JFET)、金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2022年 2月 9日星期三 第四章 3 ?特點(diǎn)：只有一種載流子參與導(dǎo)電 (電子或空穴 )。 2022年 2月 9日星期三 第四章 9 ?因此，討論 JFET的工作原理就是討論 vGS對(duì) iD的控制作用和 vDS對(duì) iD的影響。 2022年 2月 9日星期三 第四章 14 ? (2) vDS對(duì) iD的 影響 ?如圖 。 ?當(dāng) vGS ≠0時(shí)，在預(yù)夾斷點(diǎn) A處 VP與 vGS、 vDS之間有如下關(guān)系： vGD = vGS vDS＝ VP () 2022年 2月 9日星期三 第四章 20 ?圖 ，對(duì)應(yīng)于圖 iD達(dá)到了飽和漏極電流 IDSS， IDSS下標(biāo)中的第二個(gè) S表示柵源極間短路的意思。 2022年 2月 9日星期三 第四章 23 2022年 2月 9日星期三 第四章 24 ?分析表明：在 0vDS (預(yù)加斷之前 )時(shí)， iD與 vDS呈線性關(guān)系；當(dāng) vDS Vp(預(yù)加斷 )之后， iD 趨于飽和， vDS再增加， iD 變化不大。此區(qū)， iD 基本不受 vGS 和 vDS的控制。 ? (2)飽和漏電流 IDSS ? 在 vGS＝ 0的情況下，當(dāng) vDSIVPI時(shí)的漏極電流稱為飽和漏電流 IDSS。 2022年 2月 9日星期三 第四章 34 ? (6)低頻互導(dǎo) (跨導(dǎo) )gm ? 在 vDS等于常數(shù)時(shí)，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓的微變 ?量之比稱為互導(dǎo) (也稱跨導(dǎo) )，即 )..(CGSDm 314 ????DSvvig2022年 2月 9日星期三 第四章 35 ? 互導(dǎo)反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力。顯然， PDM 受管子最高工作溫度的限制。 ? VT：開啟電壓 在漏源電壓作用下，開始導(dǎo)電時(shí)的柵源電壓。 ?（ 2）不同點(diǎn)： FET是電壓控制器件， BJT是流控器件。分壓器式自偏壓電路是在圖，如圖 。 ? FET放大電路的小信號(hào)模型分析法 ?當(dāng)輸人信號(hào)很小， FET工作在線性放大區(qū) (即輸出特性中的恒流區(qū) )時(shí)，可用小信號(hào)模型來分析。 ?圖 型，圖中 rd通常在幾百千歐的數(shù)量級(jí)，一般負(fù)載電阻比 rd小很多，故此時(shí)可以認(rèn)為 rd開路。 2022年 2月 9日星期三 第四章 85 3．三種基本放大電路的性能比較 ?前面分析了共源極電路和共漏極電路，與 BJT的共基極電路對(duì)應(yīng)的， FET放大電路也有共柵極電路。 2022年 2月 9日星期三 第四章 88 各種放大器件電路性能比較 ?參閱表 。 ?(2)輸入電阻
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