電子線路-線性部分-場效應(yīng)管-免費閱讀
【正文】 伏安特性： 2G S ( t h )OXn )(2 VvlWCi ?? ?iD vGS VQ IQ Q 直流電阻： / IVR ?(小 ) 交流電阻： ivr ??? / (大 ) T v i + + v R i 第 3 章 場效應(yīng)管 ? N 溝道 DMOS 管 GS 相連 ?構(gòu)成有源電阻 v = vDS ， vGS = 0 ， i = iD 由圖 因此，當(dāng) vDS 0 –vGS(th) 時，管子工作在飽和區(qū)。 第 3 章 場效應(yīng)管 JFET 電路模型同 MOS 管相同 。 JFET 工作原理： 綜上所述 ， JFET 與 MOSFET 工作原理相似 ，它們都是利用電場效應(yīng)控制電流 ， 不同之處僅在于導(dǎo)電溝道形成的原理不同 。 解： 假設(shè) T 工作在放大模式 VDD (+20 V) M? 4 k? T S RG1 RG2 RD RS M? 10 k? G ID SDG2G1DDG2SGGS RIRRVRVVV ?????2G S ( t h )GSOXD )(2 VVlWCI ?? ?代入已知條件解上述方程組得： ID = 1 mA VGS = 4 V 及 ID = mA VGS = ?1 V (舍去 ) VDS = VDD ? ID (RD + RS) = 6 V 因此 驗證得知： VDS VGS–VGS(th) ， VGS VGS(th)， 假設(shè)成立。 gmvgs rds g d s id vgs vds + + gmuvus gmu 稱背柵跨導(dǎo)， 工程上 mQusDmu gvig ?????? 為常數(shù)， 一般 ? = ~ 。 ? 飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型與管子類型無關(guān) 2G S ( t h )GSOXD )(2 VVlWCI ?? ?第 3 章 場效應(yīng)管 ? 臨界飽和工作條件 ? 非飽和區(qū) (可變電阻區(qū) )工作條件 |VDS | = | VGS – VGS(th) | |VGS| |VGS(th) |， |VDS | | VGS – VGS(th) | |VGS| |VGS(th) | ， ? 飽和區(qū) (放大區(qū) )工作條件 |VDS | | VGS – VGS(th) | |VGS| |VGS(th) |， ? 非飽和區(qū) (可變電阻區(qū) )數(shù)學(xué)模型 DSG S ( t h )GSOXnD )( VVVlWCI ?? ?第 3 章 場效應(yīng)管 ? FET 直流簡化電路模型 (與三極管相對照 ) ? 場效應(yīng)管 G、 S 之間開路 ， IG ? 0。 P P + N + N + S G D U VDS VGS + + 阻擋層寬度 ? ? 表面層中 電子 數(shù) ? ? 第 3 章 場效應(yīng)管 ? P 溝道 EMOS 管 + VGS VDS + N N + P + S G D U P + N 溝道 EMOS 管與 P 溝道 EMOS 管工作原理相似 。 ? VDS?? 溝道 l ? ? 對于 l 較小的 MOS 管 ? 穿通擊穿。 DSG S ( t h )GSOXn )( VVVlWC ?? ?第 3 章 場效應(yīng)管 ? 飽和區(qū) 特點： ID 只受 VGS 控制，而與 VDS 近似無關(guān)，表現(xiàn)出類似三極管的正向受控作用。 共源組態(tài)特性曲線： ID = f ( VGS ) VDS = 常數(shù) 轉(zhuǎn)移特性： ID = f ( VDS ) VGS = 常數(shù) 輸出特性： ? 伏安特性 + T VDS IG ? 0 VGS ID + 轉(zhuǎn)移特性與輸出特性反映場效應(yīng)管同一物理過程 ，它們之間可以相互轉(zhuǎn)換 。 因此預(yù)夾斷后： P P + N + N + S G D U VDS + VGS + A P P + N + N + S G D U VDS + VGS + A VDS ? → ID 基本維持不變。 ? VGS 0 (形成導(dǎo)電溝道 ) P P + N + N + S G D U VDS + + VGS ? N溝道 EMOS 管 工作原理 柵 襯之間 相當(dāng)于以 SiO2 為介質(zhì)的平板電容器 。第 3 章 場效應(yīng)管 概 述 MOS 場效應(yīng)管 結(jié)型場效應(yīng)管 場效管應(yīng)用原理 概 述 場效應(yīng)管是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件 。 第 3 章 場效應(yīng)管 ? N 溝道 EMOSFET 溝道形成原理 ? 假設(shè) VDS = 0，討論 VGS 作用 P P + N + N + S G D U VDS = 0 + VGS 形成空間電荷區(qū) 并與 PN 結(jié)相通 VGS? 襯底表面層中 負(fù)離子 ?、電子 ? VGS ? 開啟電壓 VGS(th) 形成 N 型導(dǎo)電溝道 表面層 np VGS 越大，反型層中 n 越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)。 第 3 章 場效應(yīng)管 ? 若考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng) 則 VDS ? → 溝道長度 l ? → 溝道電阻 Ron略 ?。 第 3 章 場效應(yīng)管 ? NEMOS 管輸出特性曲線 ? 非飽和區(qū) 特點： ID 同
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