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正文內(nèi)容

場效應(yīng)管放大電路ppt課件-wenkub

2023-01-27 10:38:54 本頁面
 

【正文】 時(shí),溝道如圖 ,并有iD =0,這是容易理解的。 ?此時(shí)漏源極間的電阻將趨于無窮大,相應(yīng)的柵源電壓稱為夾斷電壓 VP(也有的用 vGS( off) 表示的)。 ? (1) vGS對 iD的控制作用 ? 如圖 。 2022年 2月 9日星期三 第四章 5 2022年 2月 9日星期三 第四章 6 2022年 2月 9日星期三 第四章 7 2022年 2月 9日星期三 第四章 8 2. 工作原理 ? 以 N溝道 JFET為例,分析 JFET的工作原理。 ?本節(jié)要掌握的主要內(nèi)容: ?了解 FET的結(jié)構(gòu)、基本工作原理、特性曲線、主要參數(shù)、基本放大原理。2022年 2月 9日星期三 第四章 1 4 場效應(yīng)管放大電路 引 言 2022年 2月 9日星期三 第四章 2 ?場效應(yīng)管 (FET)的特點(diǎn): 體積小、重量輕、耗電省、壽命長;輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡單。 2022年 2月 9日星期三 第四章 4 JFET ? JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 ? 1. 結(jié)構(gòu) ? N溝道 JFET的結(jié)構(gòu)示意圖如 圖 (a)所示。 ? N溝道 JFET 工作時(shí), vGS0,使兩 PNJ反偏,柵流 iG≈0, FET呈 現(xiàn)高達(dá) 107Ω以上的高輸入電阻。 ? a. vDS= 0, 導(dǎo)電溝道不變,如 圖 。 PV[轉(zhuǎn) 13] 2022年 2月 9日星期三 第四章 12 2022年 2月 9日星期三 第四章 13 ? 上述分析表明:改變 vGS的大小,可以有效的控制溝道電阻 (寬度 )的大小。 ? b. 但隨著 vDS 逐漸增加,由于 溝道 自漏到源存在著 電位梯度 ,耗盡層也愈向 N型半導(dǎo)體中心擴(kuò)展,使靠近漏極處的導(dǎo)電溝道比靠近源極要窄,導(dǎo)電溝道呈楔形,如圖 所示。當(dāng)兩耗盡層在 A點(diǎn)相遇時(shí) (圖 ),稱為預(yù)夾斷,此時(shí), A點(diǎn)耗盡層兩邊的電位差用夾斷電壓VP來描述。 2022年 2月 9日星期三 第四章 21 ? 但由于夾斷處場強(qiáng)也增大,仍能將電子拉過夾斷區(qū) (實(shí)即耗盡層 ),形成漏極電流,這和 NPN型 BJT在集電結(jié)反偏時(shí)仍能把電子拉過耗盡區(qū)基本上是相似的。因此,改變柵源電壓vGS可得一族曲線,如圖 。 PV2022年 2月 9日星期三 第四章 25 ? ② JFET是電壓控制電流器件, iD受 vGS的控制。 ?① Ⅰ 區(qū)為可變電阻區(qū),此區(qū), iD受 vGS的控制。 ? 2. 轉(zhuǎn)移特性 ?如 圖 。從物理意義上來說,這時(shí)相當(dāng) 于圖 ,達(dá)到全夾斷狀態(tài)。在轉(zhuǎn)移特性上,就是 vGS= 0 時(shí)的漏極電流 (見圖 )。 2022年 2月 9日星期三 第四章 33 ? (4)最大柵源電壓 V(BR)GS ? V(BR)GS 是指輸入 PN結(jié)反向電流開始急劇增加時(shí)的 vGS值 。 ? gm 一般在十分之幾至幾 mS的范圍內(nèi),特殊的可達(dá) 100mS,甚至更高。 )..(GSDDSd 514         Vivr???2022年 2月 9日星期三 第四章 38 ? (8)最大耗散功率 PDM ? JFET的耗散功率等于 vDS和 iD的乘積,即PDM = vDSiD ,這些耗散在管子中的功率將變?yōu)闊崮埽构茏拥臏囟壬摺? ? JFET的噪聲系數(shù)很小,可達(dá) 下。 2022年 2月 9日星期三 第四章 42 2022年 2月 9日星期三 第四章 43 2022年 2月 9日星期三 第四章 44 ? 2. 工作原理 (如圖 ) ? a. vGS=0時(shí),無導(dǎo)電溝道 (如圖 )。 [轉(zhuǎn) 39] 2022年 2月 9日星期三 第四章 45 2022年 2月 9日星期三 第四章 46 2022年 2月 9日星期三 第四章 47 2022年 2月 9日星期三 第四章 48 2022年 2月 9日星期三 第四章 49 ? d. 當(dāng) vDS較大時(shí),近漏端導(dǎo)電溝道將出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象, iD趨于飽和。如 圖 。 2022年 2月 9日星期三 第四章 54 ?通常 FET放大電路的偏置形式有兩種。 ?增強(qiáng)型 FET只有柵源電壓先達(dá)到某個(gè)開啟電壓 VT時(shí)才有漏極電流 ID,因此這類管子不能用于圖 。 ? 2.靜態(tài)工作點(diǎn)的確定 ? 對 FET放大電路的靜態(tài)分析可以采用圖解法或用公式計(jì)算,圖解的原理和 BJT相似。 ?解:根據(jù)式 ()和式 ()有 2022年 2月 9日星期三 第四章 64 ????? ???????????V].[)(mA.V])([)(mA.Dgs
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