【正文】 采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。恰是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正取得廣泛應用。 　　總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技巧職員，特殊是寬大的電子喜好者，都要根據本人的實際情況動身，采用切實可行的措施，安全有效地用好場效應管。以上保險辦法在應用場效應管時必需注意。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。將萬用表的歐姆檔選在R?0kΩ的高阻檔，此時表內電壓較高。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。第三，每次測量結束，應當GS極間短路一下。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，實驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動；少數管的RDS減小，使表針向右擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。要留神，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。若不呈現(xiàn)上述情形，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極確定是柵極Ｇ。 用萬用表電阻檔判別結型場效應管管腳 　　一般用R?k或R?00檔進行測量，測量時，任選兩管腳，測正、反向電阻，阻值都相同(均為幾千歐)時，該兩極分別為D、S極(在使用時，這兩極可互換)，余下的一極為 　　由于絕緣柵型場效應管在測量時易損壞，所以不使用此方法進行管腳識別，一般以查手冊為宜。. . . . 　　======================= 　　場效應管檢測方法與經驗 　　一、用指針式萬用表對場效應管進行判別 　?。?）用測電阻法判斷結型場效應管的電極 　　根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆順次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。 　?。?）用測電阻法判別場效應管的好壞 　　測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊表明的電阻值是否相符去判別管的好壞。 　?。?）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力 　　具體方法：用萬用表電阻的R?00檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。 　　根據上述方法，我們用萬用表的R?00檔，測結型場效應管3DJ2F。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。這是因為GS結電容上會充有少量電荷，樹立起ＶGＳ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將GS極間電荷短路放掉才行。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般GG2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極GG2的位置，從而就確定了Ｄ、S、GG2管腳的順序。當用手接觸柵極Ｇ時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。 　　（3）MOS場效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、儲藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。 　?。?）在裝置場效應管時，注意安裝的位置要盡量防止湊近發(fā)燒元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在曲折時，應該大于根部尺寸５毫米處進行，以避免彎斷管腳和引起漏氣等。 　　 　　VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。 　　VMOS場效應功率管擁有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等長處，尤其是其具備負的電流溫度系數，即在柵源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。由于漏極是從芯片的反面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N 區(qū)（源極S）出發(fā)，經由P溝道流入輕摻雜N漂移區(qū)，最后垂直向下達到漏極D。 　　下面介紹檢測VMOS管的方法。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。 　　4．檢查跨導 　　將萬用表置于R?k（或R?00）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。 　　（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。 　　（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。 　　========================= 　　萬用表檢測可控硅 　　一，可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只有陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼承處于低阻導通狀態(tài)。 　　雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。 　　2. 單向可控硅的檢測。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。隨后斷開AG間短接線，萬用表讀數應堅持10歐姆左右。隨后斷開AG極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為把持極（G）。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐凡塵俗世神壇鬼土概不能等量齊觀，則必為雙向可控硅。 　　對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、 手表品牌排名T2極，在保障黑筆不脫離T2極的條件下斷開G極，指針應指導為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。 　　對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K，燈應不息滅。將萬用表置于R?00或R?K擋，按照紅、黑表筆的六種不同接法進行測試。ICBO跟著環(huán)境溫度的升高而增加很快，ICBO的增添必定造成ICEO的增大。e－c間的阻值越大，說明管子的ICEO越小；反之，所測阻值越小，說明被測管的ICEO越大。先將萬用表功效開關撥至擋，量程開關撥到ADJ地位，把紅、黑表筆短接，調劑調零旋鈕，使萬用表指針唆使為零，而后將量程開關撥到hFE位置，并使兩短接的表筆離開，把被測三極管插入測試插座，即可從hFE刻度線上讀出管子的放大倍數。當用第一根表筆接某一電極，而第二表筆先后接觸另外兩個電極均測得低阻值時，則第一根表筆所接的那個電極即為基極b。(以PNP為例)將萬用表置于R?00或R?K擋，紅表筆基極b，用黑表筆分別接觸另外兩個管腳時，所測得的兩個電阻值會是一個大一些，一個小一些。 　　二，大功率晶體三極管的檢測： 　　利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對檢測大功率三極管來說基本上適用。 　　三，普通達林頓管的檢測： 　　用萬用表對普通達林頓管的檢測包含識別電極、區(qū)分PNP和NPN類型、估測放大能力等項內容。具體可按下述幾個步驟進行： 　　A用萬用表R?0K擋測量B、C之間PN結電阻值，應明顯測出具有單向導電性能。但須要注意的是，有些大功率達林頓管在RR上還并有二極管，此時所測得的則不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)與兩只二極管正向電阻之和的并聯(lián)電阻值。 　　C將紅表筆接E，黑表筆接C，相稱于丈量管內阻尼二極管的反向電阻，測得的阻值普通都較大，約300～∞；將紅、黑表筆對調，即紅表筆接C，黑表筆接E，則相稱于測量管內阻尼二極管的正向電阻，測得的阻值個別都較小，約幾歐至多少十歐。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。 　　B檢測最高工作頻率fM。對于交流電來說，因為一直變化，因此最高反向工作電壓也就是二極管蒙受的交流峰值電壓。不同的是，這種管子的正向電阻較大。 　　四，檢測雙向觸發(fā)二極管： 　　A將萬用表置于R?K擋，測雙向觸發(fā)二極管的正、反向電阻值都應為無窮大。測試時，動搖兆歐表，萬用表所指示的電壓值即為被測管子的VBO值。 　　b對雙向極型的TVS，任意更換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無限大，否則，闡明管子機能不良或已經破壞。 　　七，變容二極管的檢測： 　　將萬用表置于R?0k擋，無論紅、黑表筆怎么對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。 　　八，單色發(fā)光二極管的檢測： 　　在萬用表外部附接一節(jié)15V干電池，將萬用表置R?0或R?00擋。 　　九，紅外發(fā)光二極管的檢測： 　　A判