《場效應(yīng)管放大電路》ppt課件-預(yù)覽頁
【正文】 ， 圖 (c)為實際的 N溝道 JFET的結(jié)構(gòu)剖面圖。 vDS0,使 N溝道中的多數(shù)載流子 (電子 )在電場的作用下，由源極向漏極運動，形成iD， iD 的大小受 vGS的控制。 ? vGS由零向負值增大時，在反偏電壓vGS作用下，兩個 PN結(jié)的耗盡層 (即耗盡區(qū) )將加寬，使導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大，如圖 。如果在漏源之間加上固定正向電壓vDS，即可控制由漏極流向源極的電流 iD的大小。 ［轉(zhuǎn) 17］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 15 2022年 2月 9日星期三 第四章 16 ［轉(zhuǎn) 20］ ［轉(zhuǎn) 21］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 17 ?另外，增加 vDS，雖然產(chǎn)生了阻礙漏極電流 iD提高的因素。由于 vGS=0，故有 vGD＝ － vDS＝VP。在從源極到夾斷處的溝道上，溝道內(nèi)電場基本上不隨 vDS改變而變化。由于每個管子的 VP為一定值，因此，從式 ()可知，預(yù)夾斷點隨 vGS 的改變而變化，它在輸出特性上的軌跡如 圖 。 ? ③ 預(yù)夾斷前， iD 與 vDS呈線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。 ?② Ⅱ 區(qū)為飽和區(qū)或恒流區(qū)， FET作為放大器件時，一般就工作在此區(qū)，所以， Ⅱ 區(qū)又稱之為線性放大區(qū)。 iD = f (vGS) =C ?轉(zhuǎn)移特性曲線可以從 輸出特性 曲線上獲得。 2022年 2月 9日星期三 第四章 30 ?考慮到靠近源端縱向電位差接近于零，源端耗盡層兩邊的電位差可認為是 vGS，所以此時有 vGS＝ VP。 2022年 2月 9日星期三 第四章 31 2022年 2月 9日星期三 第四章 32 ? 對于 JFET來說， IDSS也是管子所能輸出的最大電流。 ? (5)直流輸入電阻 RGS ? 在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時的柵源直流電阻就是直流輸入電阻RGS。 ? 值得注意的是，互導(dǎo)隨管子的工作點不同而變，它是 JFET小信號建模的重要參數(shù)之一。為了限制它的溫度不要升得太高，就要限制它的耗散功率不能超過最大數(shù)值 PDM 。表 N溝道JFET的主要參數(shù)。 ? b. vGSVT時，在絕緣層下方將 感應(yīng)出 N型導(dǎo)電溝道 (如圖 ) 。 ? 3. 特性曲線，如 圖 。 ? 各種 FET的特性比較及使用注意事項 (自學(xué) ) ［轉(zhuǎn) 43］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 52 2022年 2月 9日星期三 第四章 53 FET放大電路 ? FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析 ? 1．直流偏置電路 ? FET與 BJT放大電路比較 ?（ 1）相同點：都要建立合適的 Q點?，F(xiàn)以N溝道耗盡型 JFET為例說明如下： ? (1)自偏壓電路 ?如 圖 ，和 BJT的射極偏置電路相似，通常在源極接入源極電阻 R，就可組成自偏壓電路。 2022年 2月 9日星期三 第四章 57 ? (2)分壓器式自偏壓電路 ? 雖然自偏壓電路比較簡單，但當靜態(tài)工作點決定后， VGS和 ID就確定了，因而 R選擇的范圍很小。下面討論用公式進行計算以確定 Q點。 2022年 2月 9日星期三 第四章 66 ? 如果管子的輸出特性和電路參數(shù)已知，則可用圖解法進行分析。 )..(DDDgsdGSDSGSDS444 ?。剑剑。絀sIIvvvvvv?????2022年 2月 9日星期三 第四章 69 ?如果用 gm 表示電壓 控制的電流源，用rd表示電流源電阻，則作為雙口有源器件的FET(圖 )，也可導(dǎo)出其小信號模型，如圖 。分析步驟和 BJT電路相同。 ? 解： 圖 。 ?由圖有： 2022年 2月 9日星期三 第四章 82 2022年 2月 9日星期三 第四章 83 )..(//)()(mmTTomTTTgsgsmTgsmTT1044111 ?。剑保剑焦剩接谑牵剑 。剑璯RgRRgRgRgIVVIVVVVVII??????????????2022年 2月 9日星期三 第四章 84 ? 即共漏電路的輸出電阻 Ro等于源極電阻 R和跨導(dǎo)的倒數(shù) 1/gm相并聯(lián)，所以輸出電阻 Ro 較小。如果使其工作于可變電阻區(qū)，那么 FET可用作壓控可變電阻。 2022年 2月 9日星期三 第四章 89 2022年 2月 9日星期三 第四章 90 ?作業(yè)： ，
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