mos場(chǎng)效應(yīng)管講述-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 器件。,概 述,場(chǎng)效應(yīng)管是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。,場(chǎng)效應(yīng)管分類：,第二頁(yè)，共五十三頁(yè)。,N溝道EMOS管外部工作條件,VDS 0 (保證柵漏PN結(jié)反偏)。,第六頁(yè)，共五十三頁(yè)。,若VDS ?→則VGD ? →近漏端溝道? → Ron增大。,因此預(yù)夾斷后：,VDS ? →ID 基本維持不變。,由上述分析可描繪出ID隨VDS 變化的關(guān)系曲線：,曲線形狀類似三極管輸出特性。,利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，通過柵源電壓VGS的變化，改變感生電荷的多少，從而改變感生溝道的寬窄，控制漏極電流ID。,第十一頁(yè)，共五十三頁(yè)。,因此，非飽和區(qū)又稱為可變電阻區(qū)。,注意：非飽和區(qū)相當(dāng)于三極管的飽和區(qū)。,考慮到溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，輸出特性曲線隨VDS的增加略有上翹。,通常 ? =( 0.005 ~ 0.03 )V1,第十五頁(yè)，共五十三頁(yè)。,VDS??溝道 l ? ?對(duì)于l 較小的MOS管?穿通擊穿。,MOS集成電路：,D1 D2一方面限制VGS間最大電壓，同時(shí)對(duì)感 生電荷起旁路作用。,第十八頁(yè)，共五十三頁(yè)。,P溝道EMOS管,N溝道EMOS管與P溝道EMOS管工作原理相似。,3.1.2 耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,DMOS管結(jié)構(gòu),第二十一頁(yè)，共五十三頁(yè)。,第二十二頁(yè)，共五十三頁(yè)。,飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型與管子類型無關(guān),第二十四頁(yè)，共五十三頁(yè)。,FET輸出端等效為壓控電流源，滿足平方律方程：,三極管輸出端等效為流控電流源，滿足IC=? IB 。,與三極管輸出電阻表達(dá)式 相似。,計(jì)及襯底效應(yīng)的MOS管簡(jiǎn)化電路模型,考慮到襯底電壓vus對(duì)漏極電流id的控制作用，小信號(hào)等效電路中需增加一個(gè)壓控電流源gmuvus。,場(chǎng)效應(yīng)管電路分析方法與三極管電路分析方法相似，可以采用估算法分析電路直流工作點(diǎn)；采用小信號(hào)等效電路法分析電路動(dòng)態(tài)指標(biāo)。,MOS管截止模式判斷方法,假定MOS管工作在放大模式：,放大模式,非飽和模式（需重新計(jì)算Q點(diǎn)）,非飽和與飽和（放大）模式判斷方法,a)由直流通路寫出管外電路VGS與ID之間關(guān)系式。,第三十三頁(yè)，共五十三頁(yè)。,第三十四頁(yè)，共五十三頁(yè)。,VDS很小時(shí) → VGD ?VGS,由圖 VGD = VGS VDS,因此 VDS?→ID線性 ?,若VDS ?→則VGD ?→近漏端溝道? → Ron增大。,第三十九頁(yè)，共五十三頁(yè)。,NJFET輸出特性,非飽和區(qū)(可變電阻區(qū)),特點(diǎn)：,ID同時(shí)受VGS與VDS的控制。,第四十二頁(yè)，共五十三頁(yè)。,ID =0 時(shí)對(duì)應(yīng)的VGS值? 夾斷電壓VGS（off） 。只是由于兩種管子在飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型不同，因此，跨導(dǎo)計(jì)算公式不同。,JFET管： VGS與VDS極性相反。,伏安特性：,第四十八頁(yè)，共五十三頁(yè)。,第四十九頁(yè)，共五十三頁(yè)。 所以我們要勤懇讀書，廣泛閱讀， 古人說“書中自有黃金屋。,第五十二頁(yè)，共五十三頁(yè)。負(fù)離子?、電子?。VGS –VGS(th
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