mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)工作原理-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見圖 。 用氧化工藝生成一層 SiO2 薄膜絕緣層。（綠色部分） 從 N型區(qū)引出電極，一個(gè)是漏極D，一個(gè)是源極 S。 DGSBDGSB動(dòng)畫 23 2 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET的工作原理 對(duì) N溝道增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管的工作原理，分兩個(gè)方面進(jìn)行討論，一是柵源電壓 UGS對(duì)溝道會(huì)產(chǎn)生影響，二是漏源電壓 UDS也會(huì)對(duì)溝道產(chǎn)生影響，從而對(duì)輸出電流，即漏極電流 ID產(chǎn)生影響。 溝道中的電子和 P型襯底的多子導(dǎo)電性質(zhì)相反，稱為 反型層 。當(dāng)增加 UGS，使 ID剛 剛出現(xiàn)時(shí)，對(duì)應(yīng)的 UGS稱為 開啟 電壓 ，用 UGS(th)或 UT表示。 當(dāng) UDS進(jìn)一步增加時(shí)， ID會(huì)不斷增加 ,同時(shí)，漏端的耗盡層上移，會(huì)在漏端出現(xiàn)夾斷，這種狀態(tài)稱為 預(yù)夾斷 。 轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率 gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 場(chǎng)效應(yīng)三極管作為放大元件使用時(shí)，是工作在漏極輸出特性曲線水平段的恒流區(qū)，從曲線上可以看出 UDS對(duì) ID的影響很小。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。對(duì)應(yīng) ID=0的 UGS稱為 夾斷電壓 ，用符號(hào) UGS(off)表示，有時(shí)也用 UP表示。 關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)的說(shuō)明： DGSBDGSBDGSBSGDN溝道增強(qiáng)型 MOS管，襯底箭頭向里。漏、襯底和源不斷開表示零柵壓時(shí)溝道已經(jīng)連通。
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