mos場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)工作原理(已修改)
2024-12-07 19:59 本頁面
【正文】 場效應(yīng)晶體管有二種結(jié)構(gòu)形式： 又分增強型和耗盡型二類 只有耗盡型 場效應(yīng)晶體管在集成電路中被廣泛使用 ， 絕緣柵場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)分為增強型和耗盡型兩大類 ， 每類中又有 N溝道和 P溝道之分 。 不象雙極型晶體管只有 NPN和 PNP兩類 ， 場效應(yīng)晶體管的種類要多一些 。 但是它們的工作原理基本相同 ， 所以下面以增強型 N溝道場效應(yīng)晶體管為例來加以說明 。 MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理 N溝道增強型 MOSFET 的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖 。其中： D(Drain)為漏極，相當(dāng) c； G(Gate)為柵極，相當(dāng) b； S(Source)為源極，相當(dāng) e。 圖 N溝道增強型 MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖（ 動畫 ） 絕緣柵型場效應(yīng)三極管 MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。 分為 增強型 ? N溝道、 P溝道 耗盡型 ? N溝道、 P
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