【總結(jié)】第五章放大電路的頻率響應(yīng)場效應(yīng)管的高頻等效模型場效應(yīng)管各極之間存在極間電容,其高頻等效模型如下:一般情況下,rgs和rds比外接電阻大得多,可認(rèn)為是開路。Cgd可進(jìn)行等效變化,使電路單向化。第五章放大電路的頻率響應(yīng)Cgd等效變化:g-s之間的等效電容為d-s之間的等效電容為)(1Lmgdds
2025-06-12 18:26
【總結(jié)】**1目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁第7章晶體管特性圖示儀本章要點(diǎn)§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測量方法§?用晶體管特性圖示儀測量二極管、三極管和場效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁上
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】第11章電路的頻率響應(yīng)網(wǎng)絡(luò)函數(shù)RLC串聯(lián)電路的諧振RLC串聯(lián)電路的頻率響應(yīng)RLC并聯(lián)諧振電路波特圖濾波器簡介本章重點(diǎn)首頁?重點(diǎn)1.網(wǎng)絡(luò)函數(shù)2.串、并聯(lián)諧振的概念;返回網(wǎng)絡(luò)函數(shù)當(dāng)電路中激勵源的頻率變化時,電路中的感抗、容抗將跟隨頻率變化,從
2025-04-30 02:21
【總結(jié)】第六章單級放大器的頻率響應(yīng)放大器的頻率特性前面我們對各種單級放大器的分析僅集中在它們的低頻特性上,忽略了器件的寄生電容和負(fù)載電容的影響。然而在模擬電路中,電路的速度和其它性能指標(biāo)是相互影響和相互制約的(如增益↑,速度↓;速度↑,功耗↑;噪聲↓,速度↓):可以犧牲其它指標(biāo)來換取高的速度,也可以犧牲速度指標(biāo)來換取其
2025-10-08 01:50
【總結(jié)】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來看,晶體管由兩個十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個P-N結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】第五章放大電路的頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)概述晶體管的高頻等效模型單管放大電路的頻率響應(yīng)多級放大電路的頻率響應(yīng)場效應(yīng)管的高頻等效模型頻率響應(yīng)功能集成響應(yīng)*童詩白第四版童詩白第四版本章重點(diǎn)和考點(diǎn):2、單管共射放大電路混合π模型等效電路
2025-01-19 13:10
【總結(jié)】ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB測量電路晶體管和放大作用4——使用是否得當(dāng)取決于對電路的理解程度IC(或IE)?IB這就是晶體管的電流放大作用2)晶體管放大的外部條件1)放大原理直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)正偏反偏發(fā)射結(jié)集電結(jié)(1)輸入
2025-05-15 00:20
【總結(jié)】模塊三晶體管電路的應(yīng)用任務(wù)一認(rèn)識晶體管及特性單元目標(biāo):熟悉晶體管的結(jié)構(gòu)和符號表達(dá);掌握晶體管的輸入輸出特性;掌握汽車晶體管的型號命名;熟練掌握晶體管的簡易測試方法活動一認(rèn)識晶體管的結(jié)構(gòu)和符號晶體管類似于兩個背靠背連接的二極管,通過圖1-21的實(shí)物形狀請你想一想怎樣把兩個PN結(jié)畫在一起。圖1-21晶
2025-01-04 01:31
【總結(jié)】場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管第四章絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第四節(jié)場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-19 21:19
【總結(jié)】第5章放大電路的頻率響應(yīng)§頻率響應(yīng)概述§晶體管的高頻等效模型§場效應(yīng)管的高頻等效模型§單管放大電路的頻率響應(yīng)§多級放大電路的頻率響應(yīng)§頻率響應(yīng)與階躍響應(yīng)(自學(xué))§Multisim應(yīng)用舉例(自學(xué))基本知識點(diǎn):高通電路
2025-07-23 17:02
【總結(jié)】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【總結(jié)】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】第五章頻率響應(yīng)法頻率特性典型環(huán)節(jié)和開環(huán)頻率特性奈奎斯特判據(jù)穩(wěn)定裕度閉環(huán)頻率特性End本章作業(yè)?A(ω)稱為幅頻特性,φ(ω)稱為相頻特性。二者統(tǒng)稱為頻率特性(frequencyresponsecharacteristics)。?基
2025-08-01 13:17
【總結(jié)】晶體管開關(guān)特性二極管的開關(guān)特性三極管的開關(guān)特性加速電容的作用晶體管開關(guān)特性在脈沖電路中,二極管和三極管通常作為“開關(guān)”使用。二極管的開關(guān)特性一、二極管的開關(guān)作用IDI,0VVVVIR????1.正向偏置時,
2025-11-12 02:22