雙極和mos晶體管ppt課件(已修改)
2025-01-26 10:46 本頁面
【正文】 1 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 雙極型和 MOS晶體管 信息工程學(xué)院 姜梅 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 一、雙極晶體管 1. 雙極晶體管的結(jié)構(gòu) 由兩個相距 很近 的 PN結(jié)組成： 分為： NPN和 PNP兩種形式 基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度 發(fā)射區(qū) 收集區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 收集結(jié) 發(fā)射極 收集極 基極 微電子技術(shù)基礎(chǔ) NPN晶體管的電流輸運(yùn) NPN晶體管的電流轉(zhuǎn)換 電子流 空穴流 c b onc IXII ?? )( 4)()( 21 XIXII npe ?? c b orbpb IIXII ??? )( 1 cebIII ??2. 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 共發(fā)射極的直流特性曲線 三個區(qū)域： 飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 4. 晶體管的特性參數(shù) 晶體管的電流增益（放大系數(shù) ） 共基極直流放大系數(shù)和交流放大系數(shù) ?0 、 ? ecII?0?000 1 ??????? cecIII兩者的關(guān)系 ecii??????? 1共發(fā)射極直流放大系數(shù)交流放大系數(shù) ?0、 ? bcII?0?bcii??微電子技術(shù)基礎(chǔ) 晶體管的反向漏電流和擊穿電壓 反向漏電流 Icbo： 發(fā)射極開路時(shí)，收集結(jié)的反向漏電流 Iebo： 收集極開路時(shí)，發(fā)射結(jié)的反向漏電流 Iceo： 基極開路時(shí)，收集極－發(fā)射極的反向漏電流 晶體管的主要參數(shù)之一 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 晶體管的擊穿電壓 BVcbo BVceo BVebo BVceo是晶體管的重要直流參數(shù)之一。它標(biāo)志在共 發(fā)射極運(yùn)用時(shí)，收集級 發(fā)射級間能承受的最大反向 電壓。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 晶體管的頻率特性 （ 1） ?截止頻率 f?： 共基極電 流放大系數(shù)減小到低頻值的 所對應(yīng)的頻率值 （ 2） ?截止頻率 f ? ： （ 3）特征頻率 fT： 共發(fā)射極電流放大系數(shù)為 1時(shí)對應(yīng)的工作頻率 （ 4）最高振蕩頻率 fM： 功率增益為 1時(shí)對應(yīng)的頻率 2/1微電子技術(shù)基礎(chǔ) 5. BJT的特點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn) 垂直結(jié)構(gòu) 與輸運(yùn)時(shí)間相關(guān)的尺寸由工藝參數(shù)決定，與光刻尺寸關(guān)系不大 易于獲得高 fT 高速應(yīng)用 整個發(fā)射上有電流流過 可獲得單位面積的大輸出電流 易于獲得大電流 大功率應(yīng)用 開態(tài)電壓VBE與尺寸、工藝無關(guān) 片間漲落小，可獲得小的電壓擺幅 易于小信號應(yīng)用 模擬電路 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 輸入電容由擴(kuò)散電容決定 隨工作電流的減小而減
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1