雙極和mos晶體管ppt課件(專業(yè)版)
【正文】 PMOS管速度較低，現(xiàn)已很少單獨(dú)使用，主要用于和 NMOS管構(gòu)成 CMOS電路。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V 溝道預(yù)夾斷后對(duì)應(yīng)的工作區(qū)。 當(dāng) VGS＞ VTN時(shí)，由于此時(shí)柵壓較強(qiáng)， P型半導(dǎo)體表層中將聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極連通。而場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流由輸入端電壓控制，兩者的控制 原理截然不同。 COX (= ? / ?OX , SiO2 層介電常數(shù)與厚度有關(guān) )為單位面積的柵極電容量 。于是只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 當(dāng) VGS=0時(shí)， VDS|VP|時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 數(shù)學(xué)模型： 若考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，則 ID 的修正方程： 工作在飽和區(qū)時(shí) ， MOS 管的正向受控作用 ， 服從平方律關(guān)系式： 2G S ( t h )GSOXnD )(2 VVlWCI ?? ????????? ???ADS2G S ( t h )GSOXnD 1)(2 VVVVlWCI ?? ?DS2G S ( t h )GSOXn 1)(2 VVVl WC ?? ???其中， ? 稱 溝道長(zhǎng)度調(diào)制系數(shù)，其值與 l 有關(guān)。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 漏源電壓 VDS對(duì) iD的控制作用 VGS＞ VT后 ,外加的 VDS較小時(shí)， ID將隨著 VDS的增加而增大。 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的定義 是一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。 溝道預(yù)夾斷前對(duì)應(yīng)的工作區(qū)。 MOS 集成電路： T D2 D1 D D2 一方面限制 VGS 間最大電壓 ， 同時(shí)對(duì)感生電荷起旁路作用 。 最大漏極功耗 PDM 最大漏極功耗可由 PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的 PCM相當(dāng)。 IG ? 0， ID ? 0 ? 擊穿區(qū) ? VDS 增大 到一定值時(shí) ?漏襯 PN 結(jié)雪崩擊穿 ? ID 劇增。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 轉(zhuǎn)移特性曲線 iD=f(vGS)?VDS=const 輸入電壓與輸出電流間的關(guān)系曲線，對(duì)于共源電路，即： 2()D n G S TNi K v V??調(diào)制系數(shù) 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 輸出特性曲線 輸出電壓與輸出電流間的關(guān)系曲線，對(duì)于共源電路，即： iD=f(vDS)?VGS=const G D G S D S Tv v v V??微電子技術(shù)基礎(chǔ) VGS(th) = 3V VDS = 5 V 轉(zhuǎn)移特性曲線反映 VDS 為常數(shù)時(shí)， VGS 對(duì) ID 的控制作用，可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到。1 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 雙極型和 MOS晶體管 信息工程學(xué)院 姜梅 微
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