雙極和mos晶體管ppt課件-文庫吧資料
2025-01-20 10:46本頁面
【正文】 ?微電子技術(shù)基礎(chǔ) ? 飽和區(qū) 特點(diǎn)： ID 只受 VGS 控制，而與 VDS 近似無關(guān)，表現(xiàn)出類似三極管的正向受控作用。 COX (= ? / ?OX , SiO2 層介電常數(shù)與厚度有關(guān) )為單位面積的柵極電容量 。 條件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 因此，非飽和區(qū)又稱為 可變電阻區(qū)。 當(dāng) VGS為常數(shù)時(shí)， VDS??ID 近似線性 ?，表現(xiàn)為一種電阻特性； 當(dāng) VDS為常數(shù)時(shí)， VGS ??ID ?，表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V VDS = 5 V ID/mA VGS /V O 1 2 3 4 5 轉(zhuǎn)移特性曲線中 ， ID = 0 時(shí)對(duì)應(yīng)的 VGS 值 ， 即開啟電壓 VGS(th) 。 當(dāng) VDS大于一定值后， SiO2層上的有效柵壓小于形成反型層所需的開啟電壓，則靠近漏端的反型層厚度減為零，出現(xiàn)溝道夾斷， ID將不再隨 VDS的增大而增大，趨于一飽和值。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 漏源電壓 VDS對(duì) iD的控制作用 VGS＞ VT后 ,外加的 VDS較小時(shí)， ID將隨著 VDS的增加而增大。如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 ID。 0＜ VGS＜ VTN時(shí)， SiO2中產(chǎn)生一垂直于表面的電場(chǎng)， P型表面上感應(yīng)出現(xiàn)許多電子，但電子數(shù)量有限 ,不能形成溝道。而場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流由輸入端電壓控制，兩者的控制 原理截然不同。它體積小、 工藝簡單、器件特性便于控制，是目前制造大規(guī)模集成電路 的主要有源器件。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 晶體管的頻率特性 （ 1） ?截止頻率 f?： 共基極電 流放大系數(shù)減小到低頻值的 所對(duì)應(yīng)的頻率值 （ 2） ?截止頻率 f ? ： （ 3）特征頻率 fT： 共發(fā)射極電流放大系數(shù)為 1時(shí)對(duì)應(yīng)的工作頻率 （ 4）最高振蕩頻率 fM： 功率增益為 1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率 2/1微電子技術(shù)基礎(chǔ) 5. BJT的特點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn) 垂直結(jié)構(gòu) 與輸運(yùn)時(shí)間相關(guān)的尺寸由工藝參數(shù)決定，與光刻尺寸關(guān)系不大 易于獲得高 fT 高速應(yīng)用 整個(gè)發(fā)射上有電流流過 可獲得單位面積的大輸出電流 易于獲得大電流 大功率應(yīng)用 開態(tài)電壓VBE與尺寸、工藝無關(guān) 片間漲落小，可獲得小的電壓擺幅 易于小信號(hào)應(yīng)用 模擬電路 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 輸入電容由擴(kuò)散電容決定 隨工作電流的減小而減小 可同時(shí)在大或小的電流下工作而無需調(diào)整輸入電容 輸入電壓直接控制提供輸出電流的載流子密度 高跨導(dǎo) 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 存在直流輸入電流
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