mos場效應(yīng)晶體管(2)-文庫吧資料
2025-05-18 19:00本頁面
【正文】 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 可以用相似的方法討論 N溝道耗盡型， P溝道增強(qiáng)型， P溝道耗盡型 MOSFET的輸出特性曲線，它們分別如圖 812（ b） ~（ d）所示。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 雪崩擊穿區(qū) 當(dāng) VDS超過漏與襯底間 PN結(jié)的擊穿電壓時(shí)，漏和源之間不必通過溝道形成電流，而是由漏極直接經(jīng)襯底到達(dá)源極流過大的電流， IDS迅速增大。 但當(dāng)溝道長度 L不滿足大大于夾斷區(qū) AB段長度(短溝道 )時(shí)，夾斷區(qū)對溝道長度縮短的影響不能忽略，從而對電流的影響也不可以忽略，可見飽和工作區(qū)中， IDS會隨 VDS增大而增加，這就是所謂的溝道長度調(diào)變效應(yīng)。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 溝道長度調(diào)變效應(yīng) 兩個(gè) N+區(qū)（源 漏）之間形成溝道長度 L滿足大大于夾斷區(qū) AB段長度 (長溝道 )，其飽和漏－源電流基本上不變。 若 VDS再增大，只是使夾斷區(qū)增大。顯然，夾斷區(qū)是耗盡區(qū)。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 飽和工作區(qū) 當(dāng) VDS繼續(xù)增大，使 VDSVGSVT時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)從漏端向左面源端移動(dòng)。 IDS將成為漏－源飽和電流 IDSS。當(dāng) VDS＝ 4V時(shí)，漏端處VGSVDS=VT。這時(shí)漏端溝道厚度比源端薄，由于相差不大，仍可近似看成均勻。此時(shí)溝道中各點(diǎn)電位相同，因此溝道厚度各處相同， IDS＝ 0。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 可調(diào)電阻區(qū)的范圍為 VDSVGSVT，即保證漏端溝道存在的條件。由此可見，此時(shí)的溝道區(qū)呈現(xiàn)電阻特性，電流 IDS與 VDS基本上是線性關(guān)系。這是因?yàn)?VDS使溝道中各點(diǎn)的電位不同，在近源處（ VGSV溝 ）比近漏處的大，表面電場較大，溝道較厚。此溝道的長度 L不變，寬度 W也不變。 定性地可以將它分為三個(gè)工作區(qū)來進(jìn)行討論。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 對于 N溝道增強(qiáng)型管， VDS為正電壓， VGS也是正電壓。 （共源極接法 ） 3. MOSFET的直流與開關(guān)特性 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 源極接地，并作為輸入與輸出的公共端，襯底材料也接地。 這時(shí)加在柵極上的電壓作為參變量。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 對于 MOSFET則可引進(jìn) 輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線 來描述其電流－電壓關(guān)系。一個(gè) MOS晶體管的漏，由于背靠背二極管的作用，自然地與其他晶體管的漏或源隔離。一個(gè) MOS晶體管可以驅(qū)動(dòng)許多與它相似的 MOS晶體管；也就是說，它有較高的扇出能力。 4．電壓控制 MOSFET是一種電壓控制器件。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 3．高輸入阻抗 由于柵氧化層的影響，在柵和其他端點(diǎn)之間不存在直流通道，因此輸入阻抗非常高，而且主要是電容性的。 2．單極性 在 MOS晶體管中參與導(dǎo)電的只是一種類型的載流子，這與雙極型晶體管相比也顯著不同。微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練 授課教師：余菲 第 4章 MOS場效應(yīng)晶體管 教師
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