場(chǎng)效應(yīng)晶體管ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-13 00:11本頁面
【正文】 VBS為 0時(shí)的閾值電壓； )(0 F???F??? BStt VVV g，襯底摻雜濃度越低，器件的閾值電壓將越小 壓有影響。 當(dāng) VDS大于 200mv時(shí)，電流的簡(jiǎn)化公式有： 其中 I0為 VT為 0時(shí)的電流，它是一個(gè)實(shí)驗(yàn)值； VT＝ kT/q； z為一個(gè)非理想因子， z1； （ 5）擊穿區(qū) VDS增大到一定程度，使晶體管漏 襯底 PN結(jié)擊穿。 （ 2） 飽和區(qū)： VDSVGSVT ? ?22TGS VVnDSI ??? ? L S D VDS VDS ( VGSVT) VGSVT ?VGSVT不變， VDS增加的電壓主要降在△ L上，由于△ L??L，電子移動(dòng)速度主要由反型區(qū)的漂移運(yùn)動(dòng)決定。 2 溝道的形成和閾值電壓 :線性區(qū) （ 1）導(dǎo)電溝道的形成 圖 1 P型半導(dǎo)體 (2)、 表面電荷減少 (施加正電壓 ) 圖 2 表面電荷減少(3)、形成耗盡層（繼續(xù)增大正電壓） 圖 3 形成耗盡層耗盡層 （高阻區(qū)）(4)、形成反型層（電壓超過一定值 VT） 圖 4 形成反型層反型層 表面場(chǎng)效應(yīng)形成反型層（ MOS電容結(jié)構(gòu)） 反型層是以電子為載流子的 N型薄層 ,就在 N+型源區(qū)和 N+型漏區(qū)間形成通道稱為溝道。 1 MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖 MOS器件的表征： 溝道長(zhǎng)度 溝道寬度 w L 2 MOS 結(jié)構(gòu) MOS是采用電場(chǎng)控制感應(yīng)電荷的方式控制導(dǎo)電溝道 . 為了形成電場(chǎng) ,在導(dǎo)電溝道區(qū)的止面覆蓋了一層很薄的二氧化硅層 ,稱為柵氧化層 . 柵氧化層上覆蓋一層金屬鋁或多晶硅 ,形成柵電極 .構(gòu)成一種金屬 氧化物 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) ,故稱為 MOS結(jié)構(gòu) .目前柵極大多采用多晶硅 . MOSFET工作原理（ NMOS為例） NMOS工作原理 VDS VGS VT VDS = VGS VT VDS VGS VT ?閾值電壓： 強(qiáng)反型層形成溝道時(shí)的柵源電壓 VT； (表面反型產(chǎn)生的載流子數(shù)目等于襯底多子的數(shù)目 ) ?線性區(qū) (Linear region) ： VDS VGS – VT ?飽和區(qū)（ Sat
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