功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管44絕緣柵雙極型晶體管igbt44其他器-文庫吧資料
2025-05-14 00:18本頁面
【正文】 ， 分別是集電極 C、 發(fā)射極 E和柵極G。 (3) 將 PMOSFET作為高頻的主功率振蕩 、 放大器件 ， 在高頻加熱 、 超聲波等設(shè)備中使用 ， 具有高效 、高頻 、 簡(jiǎn)單可靠等優(yōu)點(diǎn) 。 3. PMOSFET的應(yīng)用 12 (2) 將 PMOSFET作為功率變換器件 。 頻率提高可使開關(guān)電源的體積減小 ， 重量減輕 ，成本降低 ， 效率提高 。 當(dāng) PM2關(guān)斷時(shí) ， VD4續(xù)流 ， 直到 Io＝ 0， VD4斷開 ， 接著 PM3導(dǎo)通 。 10 圖 422 直流斬波的驅(qū)動(dòng)電路 VD1FPM2VD2C1V2CI3PM1PM3UiVD4VD3MLIo＋ UD＋ U 圖 422為直流斬波的驅(qū)動(dòng)電路 。 當(dāng)門 Ⅰ 輸入高電平時(shí) ， 電路起振時(shí) ， 在 PM PM2的柵極分別產(chǎn)生高 、 低電平 ，使它們輪流導(dǎo)通 ， 將直流電壓變?yōu)榻涣麟妷?， 實(shí)現(xiàn)逆變 。Ⅰ Ⅱ0 . 0 1 ? F1 0 0 k ?1 M ? 3． 驅(qū)動(dòng)電路舉例 圖 421是一種數(shù)控逆變器 ， 兩個(gè) PMOSFET的柵極不用任何接口電路直接與數(shù)字邏輯驅(qū)動(dòng)電路連接 。 9 圖 421 PMOSFET逆變器 PM1Uo＋ 1 2 VPM2amp。 (3)圖 c轉(zhuǎn)換開關(guān)電路： PM1與 PM2輪流驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通可構(gòu)成半橋式逆變器 。 8 2． 柵極驅(qū)動(dòng)電路基本電路型式 (a) 共源極電路； (b) 共漏極電路； (c) 轉(zhuǎn)換開關(guān)電路； (d) 交流開關(guān)電路 PMuiuoRoUCC( a )PMui uoRoUCC( b )PM1ui1UCC( c )VD1PM2ui2VD2 RoPM1ui1( d )VD1RoPM2VD2ui2～ui(1)圖 a是共源極電路：相當(dāng)于普通晶體管的共發(fā)射極電路 。 7 t0uGTUG1UG2 理想的柵極控制電壓波形如圖，提高柵極電壓上升率 duG/dt可縮短開通時(shí)間，但過高會(huì)使管子在開通時(shí)承受過高的電流沖擊。 (3) 實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路間的電隔離 。 1. PMOSFET的主要特性 6 2. PMOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路 1． 對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求 (1) 為 PM的柵極提供所需要的柵壓 ， 以保證 PMOSFET可靠導(dǎo)通 。 (2) 開關(guān)速度快 ， 工作頻率可達(dá) 1 MHz， 比 GTR器件快 10倍 ， 可實(shí)現(xiàn)高頻斬波 ， 開關(guān)損耗小 。 G( 柵極 )S( 源極 )D( 漏極 )( a ) ( b )GSD( c )G
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