場(chǎng)效應(yīng)晶體管的補(bǔ)充ii-文庫吧資料
2025-05-09 08:13本頁面
【正文】 OS兼容性的進(jìn)步，使之特別適合于 VLSI的應(yīng)用。 插入一緩沖區(qū)（寬度 k）或驅(qū)動(dòng)器，以提高驅(qū)動(dòng)能力，減小負(fù)載延遲。 電阻減小兩倍，而電容基本不變（單位電容增加） 但實(shí)際并非如此，因閾值電壓與關(guān)斷電流的矛盾。柵電阻 : RC延遲不能忽略 對(duì)大電流器件 , 多指形的柵版圖設(shè)計(jì)與源漏區(qū)的交叉分布 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 4。源漏電阻 : 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ?積累層電阻與擴(kuò)展電阻 積累層電阻依賴于柵壓 ,被認(rèn)為是 Leff的一部分 . 擴(kuò)展電阻 : 陡峭的源漏結(jié) , 注入點(diǎn)接近于溝道的金屬結(jié)端點(diǎn) , 以上二電阻均很小 . 漸變的源漏結(jié) , 注入點(diǎn)離開金屬結(jié) , 二電阻較大 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ?薄層電阻 : ?接觸電阻 : 短接觸 長(zhǎng)接觸 自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝中的電阻 (薄層電阻和接觸電阻均大大減小 ) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 2。 CMOS 反相器 在任何一個(gè)狀態(tài) , 僅有一個(gè)晶體管導(dǎo)通 , 沒有靜態(tài)電流與功率消耗 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) （ 1） CMOS反相器的傳輸特性 CMOS與 MOSFET輸入輸出特性的不同點(diǎn)： ?nMOSFET電流電壓控制規(guī)則相同 ? pMOSFET (Vs=Vdd),: Vin高， Vg低（ IP?。? ； Vin低， Vg=Vdd (Ip大） Vout高， Vds低；（ IP?。? Vout低 , Vds=Vdd (Ip大） 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) VoutVin 曲線的高到低轉(zhuǎn)變區(qū)的陡峭度反映了數(shù)字電路 的性能 . 高低轉(zhuǎn)變點(diǎn)發(fā)生在中點(diǎn) :
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