微電子學(xué)概論ch2mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管-文庫(kù)吧資料
2025-05-22 21:45本頁(yè)面
【正文】 方法： 下一頁(yè) 上一頁(yè) ? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線 UDS一定時(shí)， UGS對(duì)漏極電流ID的控制關(guān)系曲線 ID=f(UGS)?UDS=C 轉(zhuǎn)移特性曲線 UGDUT UGS(V) ID(mA) UT ID與 UGS的關(guān)系為 ID≈K(UGSUT)2 溝道較短時(shí)，應(yīng)考慮 UDS對(duì) 溝道長(zhǎng)度的調(diào)節(jié)作用： ID≈K(UGSUT)2（ 1+?UDS) K— 導(dǎo)電因子（ mA/V2) ?— 溝道調(diào)制長(zhǎng)度系數(shù) 前提： UDS為 0或較小，使得 UGD＞ UT，相當(dāng)于晶體管導(dǎo)通 下一頁(yè) 上一頁(yè) ? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線 UGS一定時(shí)， ID與 UDS的變化曲線，是一族曲線 ID=f(UDS)?UGS=C 輸出特性曲線 ： ?當(dāng) UDS為 0或較小時(shí)，相當(dāng) UGD＞ UT， ?ID與 UDS的關(guān)系近線性 ID≈ 2K(UGSUT)UDS UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UDS(V) ID(mA) 漏源電壓 UDS對(duì)漏極電流 ID的控制作用 ?此時(shí) UDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。 當(dāng) UGS=UT時(shí) , 在 P型襯底表面形成一層 電子層 ，形成 N型導(dǎo)電溝道，在 UDS的作用下形成 ID。 下一頁(yè) 上一頁(yè) 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 P N N G S D P型基底 源漏區(qū) 絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁（柵極） 下一頁(yè) 上一頁(yè) 根據(jù)導(dǎo)電溝道： nMOS、 pMOS MOS場(chǎng)效應(yīng)管 下一頁(yè) 上一頁(yè) OUTLINE 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MIS結(jié)構(gòu) MOS電容結(jié)構(gòu) MOSFET 下一頁(yè) 上一頁(yè) MIS結(jié)構(gòu) 金屬（ Metal） 絕緣體（ Insulator） 半導(dǎo)體（ Semiconductor） MIS結(jié)構(gòu)是 MOSFET的基本組成部分 下一頁(yè) 上一頁(yè) + + + + + + +
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1