微電子學概論ch2mos場效應晶體管-資料下載頁
2025-05-14 21:45本頁面
【正文】 ) ID(mA) 漏源電壓 UDS對漏極電流 ID的控制作用 ?此時 UDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。在 UDS作用下 ID線性變化，為線性區(qū) 下一頁 上一頁 ? 當 UDS增加到使 UGD=UT時， ?當 UDS增加到 UGD?UT時， 這相當于 UDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為 預夾斷 。此時的 漏極電流 ID 基本飽和，為飽和區(qū)。 預夾斷區(qū)域加長，伸向 S極。 ID基本趨于不變。 ?當 UDS增加到一定程度， ID可能 隨 UDS迅速增加，直至 pn結擊穿， 為擊穿區(qū) ,此時 UDS為泄漏擊穿電壓 。 2. 飽和區(qū)（恒流區(qū)） ： ： 下一頁 上一頁 N溝道 耗盡型 MOS場效應管結構 耗盡型（常開型） MOS場效應管 + + + + + + + ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 耗盡型 MOS管存在 原始導電溝道 下一頁 上一頁 N溝道 耗盡型 MOS場效應管工作原理 ?當 UGS=0時， UDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流 ID, 此時的漏極電流稱為 漏極飽和電流 ，用 IDSS表示 ?當 UGS＞ 0時，將使 ID進一步增加 。 ?當 UGS＜ 0時，隨著 UGS的減小漏極電流逐漸 減小 。直至 ID=0。對應 ID=0的 UGS稱為夾斷電壓，用符號UP表示。 下一頁 上一頁 小結： MOS ? 溝道區(qū) (Channel)，溝道長度 L ? 柵極 (Gate) ? 源區(qū) /源極 (Source) ? 漏區(qū) /漏極 (Drain) ? NMOS、 PMOS、 CMOS ? 閾值電壓 Vt，擊穿電壓 ? 特性曲線、轉移特性曲線 ? 泄漏電流 (截止電流 )、驅動電流 (導通電流 ) 下一頁 上一頁 作業(yè) 討論增強型 PMOS晶體管的工作原理 下一頁 上一頁 PMOSFET VBS0，接正偏壓 下一頁 上一頁 UDS ID + + + + UGS 反型層
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