微電子學(xué)概論--b-資料下載頁
2025-11-29 04:22本頁面
【正文】 cbo Bvceo BVebo BVeeo晶體管的重要直流參數(shù)之一 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 4. 晶體管的特性參數(shù) （續(xù)） 晶體管的頻率特性 ?截止頻率 f?： 共基極電流放 大系數(shù)減小到低頻值的 所對應(yīng)的頻率值 ?截止頻率 f ? ： 21特征頻率 fT： 共發(fā)射極電流放大系數(shù)為 1時對應(yīng)的工作頻率 最高振蕩頻率 fM： 功率增益為 1時對應(yīng)的頻率 5. BJT的特點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn) 垂直結(jié)構(gòu) 與輸運(yùn)時間相關(guān)的尺寸由工藝參數(shù)決定，與光刻尺寸關(guān)系不大 易于獲得高 fT 高速應(yīng)用 整個發(fā)射上有電流流過 可獲得單位面積的大輸出電流 易于獲得大電流 大功率應(yīng)用 開態(tài)電壓VBE與尺寸、工藝無關(guān) 片間漲落小，可獲得小的電壓擺幅 易于小信號應(yīng)用 模擬電路 輸入電容由擴(kuò)散電容決定 隨工作電流的減小而減小 可同時在大或小的電流下工作而無需調(diào)整輸入電容 輸入電壓直接控制提供輸出電流的載流子密度 高跨導(dǎo) 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 缺點(diǎn)： 存在直流輸入電流，基極電流 功耗大 飽和區(qū)中存儲電荷上升 開關(guān)速度慢 開態(tài)電壓無法成為設(shè)計(jì)參數(shù) 設(shè)計(jì) BJT的關(guān)鍵： 獲得盡可能大的 IC和盡可能小的 IB 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 當(dāng)代 BJT結(jié)構(gòu) 特點(diǎn)： 深槽隔離 多晶硅發(fā)射極 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 作業(yè) ?描述二極管的工作機(jī)理
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1