微電子學專業(yè)實驗-介紹xxxx-資料下載頁
2025-01-01 04:40本頁面
【正文】 DRC驗證： （ 1）根據(jù)二選一選擇器功能，分析其邏輯關系。 （ 2）根據(jù)其邏輯關系，構建 CMOS結構的電路圖。 （ 3）利用 EDA工具 L－ Edit畫出其相應版圖。 （ 4）利用幾何設計規(guī)則文件進行在線 DRC驗證并修改版圖。實驗十七 MOS結構高頻 CV特性測試? MOS結構電容 電壓特性（簡稱 CV特性）測量是檢測 MOS器件制造工藝的重要手段。它可以方便地確定二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度和固定電荷面密度等參數(shù)。? 本實驗目的是通過測量 MOS結構高頻 CV特性及偏壓溫度處理（簡稱 BT處理），確定二氧化硅層厚度 、襯底摻雜濃度 N、氧化層中可動電荷面密度和固定電荷面密度等參數(shù)。實驗十七 MOS結構高頻 CV特性測試? 實驗內(nèi)容 測量初始高頻 CV特性曲線。 作正、負 BT處理。 分別測出正、負 BT處理后的高頻 CV特性曲線。實驗十八 PMOS運算放大器設計與模擬? 在當前的集成電路設計領域，模擬和數(shù)?；旌霞呻娐吩O計是公認的難點。 SPICE是目前模擬和數(shù)?；旌霞呻娐吩O計中最為重要和通用的設計工具。而 MOS工藝也已經(jīng)成為目前模擬和數(shù)?；旌霞呻娐分圃斓闹髁鞴に?。因此，為了更好地提高同學們地設計能力和對知識地掌握，本實驗并沒有選擇數(shù)字集成電路設計和雙極型模擬集成電路設計作為任務，而是選擇了MOS工藝和模擬集成電路中最重要單元電路 ――運算放大器電路作為任務。? 實驗目的是熟悉運算放大器的基本電路結構和基本特性；熟練掌握 SPICE電路模擬與仿真技術；熟練掌握將電路圖轉化為集成電路版圖的方法與 LEDIT的使用。實驗十八 PMOS運算放大器設計與模擬? 實驗內(nèi)容 PMOS運算放大器電路的模擬： 本實驗目標是設計一個高性能的 PMOS運算放大器，如圖 2。整個設計包括差分對電路，一個有源跟隨器電路和一個推挽輸出緩沖電路。使用PSPICE進行電路的 DC特性和 AC特性模擬。整個放大器電路包含 18個晶體管，整個電路可分為三個部分：兩個差分放大器電路、源跟隨器電路和輸出緩沖電路。模擬過程中，可以將整個電路作為一個整體模擬，也可以每部分進行單獨模擬。 PMOS運算放大器電路圖 實驗十八 PMOS運算放大器設計與模擬實驗二十 穩(wěn)壓電源及應用電路的計算機模擬與仿真? 在集成電路的設計中，穩(wěn)壓器是電子產(chǎn)品的核心部分，它保證了電子產(chǎn)品中整個電路的工作可靠性。隨著電子工程、通信工程、集成電路設計工程地迅速發(fā)展，電子電路模塊應用已經(jīng)極為廣泛。作為微電子技術相關專業(yè)的學生有必要對穩(wěn)壓電源設計及應用電路有一定的了解，以便適應未來設計工作的需要。? 本實驗的目的是在 源電路模塊進行設計與仿真，給出最佳電路形式，電路參數(shù)及優(yōu)化結果：了解電路結構，元器件在電路中的作用、工作原理；加深對模電等課程的理解。實驗二十 穩(wěn)壓電源及應用電路的計算機模擬與仿真? 實驗內(nèi)容? 用 出元件并繪制電路圖；? 重點是對電路進行模擬分析，如瞬態(tài)、交流、直流分析；? 完成雙電源模擬后，用 741芯片進行反相、同相放大電路模擬并對其分析。實驗室主要儀器設備 : 集成運算放大器測試儀 晶體管圖示儀 晶體管開關特性測試儀 高頻小功率晶體管 fT測試儀 自動橢圓偏振儀 金相顯微鏡謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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