微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)-介紹xxxx(存儲(chǔ)版)
【正文】 ，測(cè)量技術(shù)、儀器儀表等各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。模擬單端輸入 MOS與五管 TTL非門電路的直流、交流和瞬態(tài)特性。? 實(shí)驗(yàn)?zāi)康闹荚趯W(xué)習(xí)和理解集成運(yùn)算放大器的主要參數(shù)及應(yīng)用，為設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用集成運(yùn)算放大器奠定基礎(chǔ)。實(shí)驗(yàn)十六 數(shù)字電路版圖設(shè)計(jì)人工版圖設(shè)計(jì)典型過(guò)程實(shí)驗(yàn)十六 數(shù)字電路版圖設(shè)計(jì)? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容采用 1um CMOS工藝編輯一個(gè) CMOS反相器（如圖所示）的版圖。? 本實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖峭ㄟ^(guò)測(cè)量 MOS結(jié)構(gòu)高頻 CV特性及偏壓溫度處理（簡(jiǎn)稱 BT處理），確定二氧化硅層厚度 、襯底摻雜濃度 N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度和固定電荷面密度等參數(shù)。? 實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖鞘煜み\(yùn)算放大器的基本電路結(jié)構(gòu)和基本特性；熟練掌握 SPICE電路模擬與仿真技術(shù)；熟練掌握將電路圖轉(zhuǎn)化為集成電路版圖的方法與 LEDIT的使用。作為微電子技術(shù)相關(guān)專業(yè)的學(xué)生有必要對(duì)穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)及應(yīng)用電路有一定的了解，以便適應(yīng)未來(lái)設(shè)計(jì)工作的需要。 PMOS運(yùn)算放大器電路圖 實(shí)驗(yàn)十八 PMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)與模擬實(shí)驗(yàn)二十 穩(wěn)壓電源及應(yīng)用電路的計(jì)算機(jī)模擬與仿真? 在集成電路的設(shè)計(jì)中，穩(wěn)壓器是電子產(chǎn)品的核心部分，它保證了電子產(chǎn)品中整個(gè)電路的工作可靠性。而 MOS工藝也已經(jīng)成為目前模擬和數(shù)?；旌霞呻娐分圃斓闹髁鞴に嚒?shí)驗(yàn)十七 MOS結(jié)構(gòu)高頻 CV特性測(cè)試? MOS結(jié)構(gòu)電容 電壓特性（簡(jiǎn)稱 CV特性）測(cè)量是檢測(cè) MOS器件制造工藝的重要手段。? 集成電路版圖設(shè)計(jì)是一門技術(shù)，它需要設(shè)計(jì)者具有電路系統(tǒng)原理與工藝制造方面的基礎(chǔ)知識(shí)。如果在其輸入、輸出端連接適當(dāng)?shù)脑骷纯赏瓿杉?、減、積分、微分、對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)等運(yùn)算，這些運(yùn)算電路的搭配組合還可以完成乘、除法功能。? 本實(shí)驗(yàn)的目的是用 ORCAD軟件完成數(shù)字電路邏輯電路圖的繪制及模擬。實(shí)驗(yàn)十二 雙極性運(yùn)算放大器參數(shù)的測(cè)試? 集成運(yùn)算放大器是一種高性能直接耦合放大電路。其測(cè)試原理通常采用 增益 —帶寬 積的方法。橢偏法測(cè)量膜厚是非破壞性測(cè)量，具有測(cè)量精度高，方法較靈敏的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，因此已廣泛應(yīng)用在光學(xué)、半導(dǎo)體、生物、醫(yī)學(xué)等方面。 實(shí)驗(yàn)八 pn 結(jié)的顯示與結(jié)深的測(cè)量實(shí)驗(yàn)九 用橢偏儀測(cè)量薄膜厚度? 二氧化硅（ SiO2）介質(zhì)膜是硅集成電路平面制造工藝中不可缺少的重要材料。實(shí)驗(yàn)六 光電導(dǎo)衰減法測(cè)量單晶硅非平衡少數(shù)載流子壽命實(shí)驗(yàn)八 pn 結(jié)的顯示與結(jié)深的測(cè)量? 在用平面工藝制造晶體管和集成電路時(shí)，一般用擴(kuò)散法制作 pn結(jié)。 ? 二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與要求： 完成結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)的測(cè)量。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容整流二極管、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓管的正、反向特性測(cè)試；晶體三極管的測(cè)試（分別對(duì) NPN、 PNP三極管進(jìn)行測(cè)試），包括： a）三極管的輸出特性； b）飽和壓降 UCES的測(cè)量； c）反向擊穿電壓： Bicep、 Bvcbo、 Bvebo；和反向漏電流的測(cè)試； d）三極管輸入特性的測(cè)試；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ 3DJ7為例）直流參數(shù)的測(cè)試。 用范德堡法測(cè) Si薄片半導(dǎo)體樣品的 ρ和RH值。測(cè)量電阻率的方法很多，四探針?lè)ㄊ且环N廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法。微電子學(xué)實(shí)驗(yàn)涉及了集成電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件、工藝及材料等多個(gè)專業(yè)方面。 ? 實(shí)驗(yàn)學(xué)時(shí)： 64? 必修課? 每個(gè)學(xué)生必須獨(dú)立完成 16個(gè)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目? 考核方法 : 課內(nèi)實(shí)驗(yàn)完成情況 40% 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 40% 課內(nèi)考試 20% 實(shí)驗(yàn)教學(xué)內(nèi)容本實(shí)驗(yàn)課程涵蓋三部分實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：1. 半導(dǎo)體材料特性與微電子技術(shù)工藝參數(shù)測(cè)試分析2. 半導(dǎo)體器件性能參數(shù)測(cè)試3. 集成電路性能參數(shù)測(cè)試與應(yīng)用及現(xiàn)代集成電路 EDA技
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1