微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)-介紹xxxx(編輯修改稿)
2025-01-19 04:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 六 光電導(dǎo)衰減法測(cè)量單晶硅非平衡少數(shù)載流子壽命實(shí)驗(yàn)八 pn 結(jié)的顯示與結(jié)深的測(cè)量? 在用平面工藝制造晶體管和集成電路時(shí)，一般用擴(kuò)散法制作 pn結(jié)。由于擴(kuò)散雜質(zhì)與外延層雜質(zhì)的類型不同，所以在外延層中某一個(gè)位置，其摻入雜質(zhì)濃度與外延層雜質(zhì)濃度相等，從而形成了 pn結(jié)。將 pn結(jié)材料表面到 pn結(jié)界面的距離稱為 pn結(jié)結(jié)深，一般用 Xj表示。由于基區(qū)寬度決定著晶體管的放大倍數(shù) β、特征頻率 fT等電參數(shù)，而集電結(jié)結(jié)深 Xjc和發(fā)射結(jié)結(jié)深 Xje之差就是基區(qū)寬度，因此必須了解并掌握測(cè)量結(jié)深的原理和方法。? 測(cè)量結(jié)深的方法有磨角法、滾槽法，也可以采用陽極氧化剝層法直接計(jì)算得出。本實(shí)驗(yàn)采用磨角法。? 本實(shí)驗(yàn)的目的是學(xué)會(huì)用磨角器磨角法制作 pn 結(jié)樣片，采用電解水氧化法顯示 pn 結(jié)；并利用金相顯微鏡觀測(cè)結(jié)深。? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 用磨角器磨角法制作 pn 結(jié)樣片； 采用電解水氧化法顯示 pn 結(jié)； 用金相顯微鏡觀測(cè)樣品的相關(guān)數(shù)據(jù)并計(jì)算出結(jié)深，重復(fù)測(cè)量 3 次，求出結(jié)深的平均值。 實(shí)驗(yàn)八 pn 結(jié)的顯示與結(jié)深的測(cè)量實(shí)驗(yàn)九 用橢偏儀測(cè)量薄膜厚度? 二氧化硅（ SiO2）介質(zhì)膜是硅集成電路平面制造工藝中不可缺少的重要材料。根據(jù)不同的需要，人們利用各種方法制備二氧化硅，用來作為器件的保護(hù)層和鈍化層，以及電性能的隔離、絕緣材料和電容器的介質(zhì)膜等。其更重要的應(yīng)用之一，就是作為選擇性擴(kuò)散的掩蔽膜。無論 SiO2膜用作哪一種用途，都必須準(zhǔn)確的測(cè)定和控制它的厚度。另外，折射率是表征 SiO2薄膜光學(xué)性質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù)，因此我們必須掌握 SiO2膜厚及其折射率的測(cè)量方法。? 通常測(cè)定薄模厚度的方法有比色法、干涉法、橢偏法等。比色法可以方便的估計(jì)出氧化硅膜的厚度，但誤差較大。干涉法具有設(shè)備簡(jiǎn)單、測(cè)量方便的特點(diǎn)，結(jié)果也比較準(zhǔn)確。橢偏法測(cè)量膜厚是非破壞性測(cè)量，具有測(cè)量精度高，方法較靈敏的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，因此已廣泛應(yīng)用在光學(xué)、半導(dǎo)體、生物、醫(yī)學(xué)等方面。 實(shí)驗(yàn)九 用橢偏儀測(cè)量薄膜厚度? 本實(shí)驗(yàn)?zāi)康模? 了解用橢圓偏振法測(cè)量薄膜參數(shù)的基本原理和方法； 掌握 SGC2型自動(dòng)橢圓偏振測(cè)厚儀的使用方法； 用橢偏儀測(cè)量 Si襯底上的 SiO2薄膜的折射率和厚度。? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 1．用橢偏儀測(cè)量 Si襯底上的 SiO2薄膜的折射率和厚度；（選兩個(gè)樣品進(jìn)行測(cè)試） 2．重復(fù)測(cè)量 3 次，求折射率和膜厚的平均值。實(shí)驗(yàn)十 晶體管特征頻率的測(cè)量? 晶體管頻率特性表現(xiàn)為其交流電流增益隨晶體管工作頻率的提高而下降。晶體管特征頻率的測(cè)量定義為共射極輸出交流短路電流增益下降到時(shí)的工作頻率。它反映了晶體管在共發(fā)射運(yùn)用中具有電流放大作用的極限頻率 ,也是晶體管最重要的頻率參數(shù)之一。晶體管特征頻率與晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和物理參數(shù)有關(guān) ,還與晶體管工作時(shí)的電流大小密切相關(guān)。因此 ,晶體管的特征頻率 fT是指在一定偏置條件下的測(cè)量值。其測(cè)試原理通常采用 增益 —帶寬 積的方法。? 本實(shí)驗(yàn)的目的是掌握晶體管特征頻率 fT的測(cè)試原理及測(cè)量方法 ,熟悉 fT分別隨 IE和 VCE變化的規(guī)律 ,加深其與晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和物理參數(shù)各工作偏置條件的理解。為晶體管的頻率特性設(shè)計(jì) ,制造和應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。實(shí)驗(yàn)十 晶體管特征頻率的測(cè)量? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1. 在規(guī)范偏置條件下測(cè)量所選晶體管的特征頻率。 2. 置規(guī)范值，改變測(cè)量 ~變化關(guān)系。 3. 置規(guī)范值，改變測(cè)量 ~變化關(guān)系。 4. 在被測(cè)管的發(fā)射結(jié)并接數(shù) pF電容，觀察變化。 5. 求出被測(cè)管的，的近似值。實(shí)驗(yàn)十二 雙極性運(yùn)算放大器參數(shù)的測(cè)試? 集成運(yùn)算放大器是一種高性能直接耦合放大電路。在外接不同反饋網(wǎng)絡(luò)后，具有不同的運(yùn)算功能。運(yùn)算放大器除了可對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行加、減、乘、除、微分、積分等數(shù)學(xué)運(yùn)算外，還在自動(dòng)控
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1