微電子學(xué)概論b03半導(dǎo)體及其基本特性(編輯修改稿)
2025-01-16 02:54 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 型半導(dǎo)體：空穴 p型半導(dǎo)體：電子 7. 電中性條件 : 正負(fù)電荷之和為 0 p + Nd – n – Na = 0 施主和受主可以相互補(bǔ)償 p = n + Na – Nd n = p + Nd – Na n型半導(dǎo)體：電子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半導(dǎo)體：空穴 p ? Na 電子 n ? ni2/Na 8. 過剩載流子 由于受外界因素如光、電的作用，半導(dǎo)體中載流子的分布偏離了平衡態(tài)分布，稱這些偏離平衡分布的載流子為過剩載流子 2innp ?公式 不成立 載流子的產(chǎn)生和復(fù)合：電子和空穴增加和消失的過程 電子空穴對：電子和空穴成對產(chǎn)生或復(fù)合 9. 載流子的輸運 漂移電流 EqnqnvJ dDeift ???遷移率 ? 電阻率 ? pn qpqn ??? ?? 1?? mq??單位電場作用下載流子獲得平均速度 反映了載流子在電場作用下輸運能力 載流子的漂移運動： 載流子在電場作用下的運動 引 入 遷 移 率 的 概 念 影 響 遷 移 率 的 因 素 影響遷移率的因素： 有效質(zhì)量 平均弛豫時間（散射 〕 體現(xiàn)在：溫度和 摻雜濃度 半導(dǎo)體中載流子的散射機(jī)制： 晶格散射（ 熱 運 動 引 起） 電離雜質(zhì)散射 擴(kuò)散電流 電子擴(kuò)散電流： dxdnqDJnd iffn ?,空穴擴(kuò)散電流：
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