微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)-介紹xxxx(完整版)
【正文】 也可以每部分進(jìn)行單獨(dú)模擬。 SPICE是目前模擬和數(shù)?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中最為重要和通用的設(shè)計(jì)工具。 （ 4）利用幾何設(shè)計(jì)規(guī)則文件進(jìn)行在線 DRC驗(yàn)證并修改版圖。版圖設(shè)計(jì)是 IC設(shè)計(jì)的重要一環(huán)，這也是 IC設(shè)計(jì)的最后一個(gè)環(huán)節(jié)。模擬由 3非門(mén)單元構(gòu)成的信號(hào)產(chǎn)生電路實(shí)驗(yàn)十五 運(yùn)算放大電路應(yīng)用電路的模擬與仿真? 集成運(yùn)算放大器是廣泛應(yīng)用的集成放大器件。根據(jù)分析和模擬結(jié)果修改并確定電路結(jié)構(gòu)，結(jié)合具體的集成電路工藝編輯集成電路版圖。 5. 求出被測(cè)管的，的近似值。因此 ,晶體管的特征頻率 fT是指在一定偏置條件下的測(cè)量值。干涉法具有設(shè)備簡(jiǎn)單、測(cè)量方便的特點(diǎn)，結(jié)果也比較準(zhǔn)確。? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 用磨角器磨角法制作 pn 結(jié)樣片； 采用電解水氧化法顯示 pn 結(jié)； 用金相顯微鏡觀測(cè)樣品的相關(guān)數(shù)據(jù)并計(jì)算出結(jié)深，重復(fù)測(cè)量 3 次，求出結(jié)深的平均值。 對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析。 ? 本實(shí)驗(yàn)對(duì)結(jié)型、 MOS型場(chǎng)效應(yīng)管的直流參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)。? 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模毫私饩w管特性圖示儀的基本工作原理及其使用方法；掌握用晶體管特性圖示儀測(cè)量晶體管各種特性曲線的方法；掌握用晶體管特性圖示儀測(cè)量普通二極管、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓管、三極管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管等器件的各種直流參數(shù)的方法。測(cè)電阻率時(shí)（磁場(chǎng)強(qiáng)度 B=0）樣品電流分別取代 、 ，測(cè)霍爾電壓時(shí)，磁場(chǎng)強(qiáng)度 B=2023GS。實(shí)驗(yàn)一 四探針?lè)y(cè)電阻率 ? 電阻率是反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的重要參數(shù)之一。該課程是微電子學(xué)專業(yè)本科學(xué)生必修的一門(mén)專業(yè)實(shí)驗(yàn)課，是理論性和實(shí)踐性都非常強(qiáng)的一門(mén)課程。實(shí)驗(yàn)報(bào)告撰寫(xiě)要求 ? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告必須按統(tǒng)一格式書(shū)寫(xiě)，報(bào)告內(nèi)容必須包含預(yù)習(xí)報(bào)告和正式報(bào)告兩部分：? 預(yù)習(xí)報(bào)告 必須在該次實(shí)驗(yàn)前完成，無(wú)預(yù)習(xí)報(bào)告不得參加當(dāng)次實(shí)驗(yàn)，包括實(shí)驗(yàn)名稱、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、?shí)驗(yàn)原理、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與要求、實(shí)驗(yàn)步驟與方案。利用霍爾效應(yīng)可以判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，測(cè)量半導(dǎo)體的載流子濃度和遷移率。在制造晶體管和使用過(guò)程中，都要對(duì)其參數(shù)性能進(jìn)行檢測(cè)。通常用 “FET”表示。 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?： 1．掌握用高頻光電導(dǎo)衰減法測(cè)量 Si單晶中少數(shù)載流子壽命的原理和方法； 2. 加深對(duì)少數(shù)載流子壽命及其與樣品其它物理參數(shù)關(guān)系的理解。? 測(cè)量結(jié)深的方法有磨角法、滾槽法，也可以采用陽(yáng)極氧化剝層法直接計(jì)算得出。另外，折射率是表征 SiO2薄膜光學(xué)性質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù)，因此我們必須掌握 SiO2膜厚及其折射率的測(cè)量方法。晶體管特征頻率的測(cè)量定義為共射極輸出交流短路電流增益下降到時(shí)的工作頻率。 2. 置規(guī)范值，改變測(cè)量 ~變化關(guān)系。? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 分別在 6V、 8V、 15V三種電壓下測(cè)試運(yùn)算放大器 LF741各個(gè)交、直流參數(shù)并比較分析； 對(duì)比分析測(cè)試數(shù)據(jù)及結(jié)果； 并畫(huà)出其傳輸特性和轉(zhuǎn)換速率的曲線。 Vin的峰值為 2V。（電源電壓為 177。（采用設(shè)計(jì)規(guī)則） CMOS反相器電路圖實(shí)驗(yàn)十六 數(shù)字電路版圖設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)一個(gè) CMOS結(jié)構(gòu)的二選一選擇器的版圖，并作 DRC驗(yàn)證： （ 1）根據(jù)二選一選擇器功能，分析其邏輯關(guān)系。 作正、負(fù) BT處理。整個(gè)設(shè)計(jì)包括差分對(duì)電路，一個(gè)有源跟隨器電路和一個(gè)推挽輸出緩沖電路。實(shí)驗(yàn)二十 穩(wěn)壓電源及應(yīng)用電路的計(jì)算機(jī)模擬與仿真? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容? 用 出元件并繪制電路圖；? 重點(diǎn)是對(duì)電路進(jìn)行模擬分析，如瞬態(tài)、交流、直流分析；? 完成雙電源模擬后，用 741芯片進(jìn)行反相、同相放大電路模擬并對(duì)其分析。整個(gè)放大器電路包含 18個(gè)晶體管，整個(gè)電路可分為三個(gè)部分：兩個(gè)差分放大器電路、源跟隨器電路和輸出緩沖電路。實(shí)驗(yàn)十八 PMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)與模擬? 在當(dāng)前的集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，模擬和數(shù)?；?
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