微電子學(xué)專業(yè)實驗-介紹xxxx(完整版)
【正文】 也可以每部分進(jìn)行單獨模擬。 SPICE是目前模擬和數(shù)?；旌霞呻娐吩O(shè)計中最為重要和通用的設(shè)計工具。 （ 4）利用幾何設(shè)計規(guī)則文件進(jìn)行在線 DRC驗證并修改版圖。版圖設(shè)計是 IC設(shè)計的重要一環(huán)，這也是 IC設(shè)計的最后一個環(huán)節(jié)。模擬由 3非門單元構(gòu)成的信號產(chǎn)生電路實驗十五 運算放大電路應(yīng)用電路的模擬與仿真? 集成運算放大器是廣泛應(yīng)用的集成放大器件。根據(jù)分析和模擬結(jié)果修改并確定電路結(jié)構(gòu)，結(jié)合具體的集成電路工藝編輯集成電路版圖。 5. 求出被測管的，的近似值。因此 ,晶體管的特征頻率 fT是指在一定偏置條件下的測量值。干涉法具有設(shè)備簡單、測量方便的特點，結(jié)果也比較準(zhǔn)確。? 實驗內(nèi)容 用磨角器磨角法制作 pn 結(jié)樣片； 采用電解水氧化法顯示 pn 結(jié)； 用金相顯微鏡觀測樣品的相關(guān)數(shù)據(jù)并計算出結(jié)深，重復(fù)測量 3 次，求出結(jié)深的平均值。 對結(jié)果進(jìn)行分析。 ? 本實驗對結(jié)型、 MOS型場效應(yīng)管的直流參數(shù)進(jìn)行檢測。? 實驗?zāi)康模毫私饩w管特性圖示儀的基本工作原理及其使用方法；掌握用晶體管特性圖示儀測量晶體管各種特性曲線的方法；掌握用晶體管特性圖示儀測量普通二極管、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓管、三極管、結(jié)型場效應(yīng)管等器件的各種直流參數(shù)的方法。測電阻率時（磁場強(qiáng)度 B=0）樣品電流分別取代 、 ，測霍爾電壓時，磁場強(qiáng)度 B=2023GS。實驗一 四探針法測電阻率 ? 電阻率是反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的重要參數(shù)之一。該課程是微電子學(xué)專業(yè)本科學(xué)生必修的一門專業(yè)實驗課，是理論性和實踐性都非常強(qiáng)的一門課程。實驗報告撰寫要求 ? 實驗報告必須按統(tǒng)一格式書寫，報告內(nèi)容必須包含預(yù)習(xí)報告和正式報告兩部分：? 預(yù)習(xí)報告 必須在該次實驗前完成，無預(yù)習(xí)報告不得參加當(dāng)次實驗，包括實驗名稱、實驗?zāi)康?、實驗原理、實驗?nèi)容與要求、實驗步驟與方案。利用霍爾效應(yīng)可以判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，測量半導(dǎo)體的載流子濃度和遷移率。在制造晶體管和使用過程中，都要對其參數(shù)性能進(jìn)行檢測。通常用 “FET”表示。 實驗?zāi)康?： 1．掌握用高頻光電導(dǎo)衰減法測量 Si單晶中少數(shù)載流子壽命的原理和方法； 2. 加深對少數(shù)載流子壽命及其與樣品其它物理參數(shù)關(guān)系的理解。? 測量結(jié)深的方法有磨角法、滾槽法，也可以采用陽極氧化剝層法直接計算得出。另外，折射率是表征 SiO2薄膜光學(xué)性質(zhì)的一個重要參數(shù)，因此我們必須掌握 SiO2膜厚及其折射率的測量方法。晶體管特征頻率的測量定義為共射極輸出交流短路電流增益下降到時的工作頻率。 2. 置規(guī)范值，改變測量 ~變化關(guān)系。? 實驗內(nèi)容： 分別在 6V、 8V、 15V三種電壓下測試運算放大器 LF741各個交、直流參數(shù)并比較分析； 對比分析測試數(shù)據(jù)及結(jié)果； 并畫出其傳輸特性和轉(zhuǎn)換速率的曲線。 Vin的峰值為 2V。（電源電壓為 177。（采用設(shè)計規(guī)則） CMOS反相器電路圖實驗十六 數(shù)字電路版圖設(shè)計設(shè)計一個 CMOS結(jié)構(gòu)的二選一選擇器的版圖，并作 DRC驗證： （ 1）根據(jù)二選一選擇器功能，分析其邏輯關(guān)系。 作正、負(fù) BT處理。整個設(shè)計包括差分對電路，一個有源跟隨器電路和一個推挽輸出緩沖電路。實驗二十 穩(wěn)壓電源及應(yīng)用電路的計算機(jī)模擬與仿真? 實驗內(nèi)容? 用 出元件并繪制電路圖；? 重點是對電路進(jìn)行模擬分析，如瞬態(tài)、交流、直流分析；? 完成雙電源模擬后，用 741芯片進(jìn)行反相、同相放大電路模擬并對其分析。整個放大器電路包含 18個晶體管，整個電路可分為三個部分：兩個差分放大器電路、源跟隨器電路和輸出緩沖電路。實驗十八 PMOS運算放大器設(shè)計與模擬? 在當(dāng)前的集成電路設(shè)計領(lǐng)域，模擬和數(shù)?；?
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