微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)-介紹xxxx-全文預(yù)覽
【正文】 理解集成運(yùn)算放大器的主要參數(shù)及應(yīng)用，為設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用集成運(yùn)算放大器奠定基礎(chǔ)。 注：信號源分別用 DC、 Vsin、 Vpulse幅度 3V，頻率1khz。模擬單端輸入 MOS與五管 TTL非門電路的直流、交流和瞬態(tài)特性。實(shí)驗(yàn)十四 幾種數(shù)字門電路的計(jì)算機(jī)模擬與仿真? 集成電路的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)大致可分為以下幾步：電路圖繪制和電連接關(guān)系描述、電路（模、數(shù)）特性分析與模擬。運(yùn)算放大器除了可對輸入信號進(jìn)行加、減、乘、除、微分、積分等數(shù)學(xué)運(yùn)算外，還在自動控制，測量技術(shù)、儀器儀表等各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 4. 在被測管的發(fā)射結(jié)并接數(shù) pF電容，觀察變化。為晶體管的頻率特性設(shè)計(jì) ,制造和應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。晶體管特征頻率與晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和物理參數(shù)有關(guān) ,還與晶體管工作時(shí)的電流大小密切相關(guān)。? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 1．用橢偏儀測量 Si襯底上的 SiO2薄膜的折射率和厚度；（選兩個(gè)樣品進(jìn)行測試） 2．重復(fù)測量 3 次，求折射率和膜厚的平均值。比色法可以方便的估計(jì)出氧化硅膜的厚度，但誤差較大。其更重要的應(yīng)用之一，就是作為選擇性擴(kuò)散的掩蔽膜。? 本實(shí)驗(yàn)的目的是學(xué)會用磨角器磨角法制作 pn 結(jié)樣片，采用電解水氧化法顯示 pn 結(jié)；并利用金相顯微鏡觀測結(jié)深。將 pn結(jié)材料表面到 pn結(jié)界面的距離稱為 pn結(jié)結(jié)深，一般用 Xj表示。 每個(gè)樣品測定 2－ 3次，求出平均值，獲得 Si材料在光照下的 ?V~t曲線。? 光電導(dǎo)衰減法有直流光電導(dǎo)衰減法、高頻光電導(dǎo)衰減法和微波光電導(dǎo)衰減法，其差別主要在于是用直流、高頻電流還是用微波來提供檢測樣品中非平衡載流子的衰減過程的手段。目前多數(shù)絕緣柵型場效應(yīng)管為金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）三層結(jié)構(gòu)，縮寫為 MOSFET。從工作原理看，場效應(yīng)晶體管與電子管很相似，是通過改變垂直于導(dǎo)電溝道的電場強(qiáng)度去控制溝道的導(dǎo)電能力，因而稱為 “場效應(yīng) ”晶體管。通常采用晶體管圖示儀進(jìn)行測量。 用 EXCEL進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 用長條法測試矩形樣品 (nsi)的 ρ和 RH值。 2．對每種樣品，各測 10個(gè)不同點(diǎn)，用 excell計(jì)算修正求出電阻率、進(jìn)行數(shù)據(jù)分析； 3．對單面擴(kuò)散和雙面擴(kuò)散樣品分別測量其薄層電阻 R。? 預(yù)習(xí)報(bào)告和正式報(bào)告合在一起作為該次實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)報(bào)告上交，實(shí)驗(yàn)報(bào)告封面按統(tǒng)一格式（見附件），實(shí)驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容要求手寫。? 要求學(xué)生掌握半導(dǎo)體材料特性測試技術(shù)、微電子技術(shù)工藝參數(shù)測試分析技術(shù)和微電子器件參數(shù)測試與應(yīng)用技術(shù)，能夠熟練使用集成電路EDA工具軟件。微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)介紹 《 微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn) 》 是按照我院新辦專業(yè) “微電子學(xué)專業(yè) ”的培養(yǎng)方案及教學(xué)計(jì)劃要求，設(shè)置的一門重要專業(yè)實(shí)驗(yàn)課程。 實(shí)驗(yàn)要求和目的：? 本課程要求學(xué)生先修完：大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)，半導(dǎo)體物理，半導(dǎo)體器件，微電子學(xué)概論，模擬電子技術(shù)，數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)，微電子制造技術(shù)和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)等理論課程后，再進(jìn)行本課程的學(xué)習(xí)。? 正式報(bào)告 包括實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析、思考題、實(shí)驗(yàn)總結(jié)與心得，正式報(bào)告在實(shí)驗(yàn)完成后寫，緊接預(yù)習(xí)報(bào)告部分。? 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模赫莆账奶结槣y試電阻率的原理和方法；針對不同幾何尺寸的樣品測試電阻率時(shí)，應(yīng)掌握其修正方法；? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 1．對給定的 2~3個(gè)厚度不同的樣品分別測量其電阻率、方塊電阻值。? 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模菏煜せ魻栃?yīng)的測試原理；掌握電阻率和霍爾系數(shù)的測量方法 ,并用 EXCEL計(jì)算多項(xiàng)電學(xué)參數(shù)，如電阻率 ρ、霍爾系數(shù)、載流子濃度 P0、 n0等；觀察半導(dǎo)體的磁阻現(xiàn)象。測試條件同上。晶體管的直流參數(shù)及性能是評價(jià)晶體管質(zhì)量及選擇的主要依據(jù)。實(shí)驗(yàn)三 用圖示儀測量雙極型晶體管直流參數(shù)實(shí)驗(yàn)五 場效應(yīng)晶體管參數(shù)測量? 場效應(yīng)晶體管不同于一般的雙極晶體管
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