微電子學專業(yè)實驗-介紹xxxx-預覽頁
【正文】 ,它是一種電壓控制器件。? 場效應晶體管分為結(jié)型場效應管（ JFET）和絕緣柵型場效應管（ MISFET）兩大類。 熟悉場效應晶體管主要參數(shù)的物理意義及BJ2922B型場效應管參數(shù)測試儀的使用方法 實驗五 場效應晶體管參數(shù)測量實驗六 光電導衰減法測量單晶硅非平衡少數(shù)載流子壽命? 半導體材料中的非平衡少數(shù)載流子壽命對器件的電流增益、正向壓降、開關速度的參數(shù)起著決定性作用。實驗內(nèi)容： 測量 3個不同電阻率樣品的非平衡少子壽命 τ。由于擴散雜質(zhì)與外延層雜質(zhì)的類型不同，所以在外延層中某一個位置，其摻入雜質(zhì)濃度與外延層雜質(zhì)濃度相等，從而形成了 pn結(jié)。本實驗采用磨角法。根據(jù)不同的需要，人們利用各種方法制備二氧化硅，用來作為器件的保護層和鈍化層，以及電性能的隔離、絕緣材料和電容器的介質(zhì)膜等。? 通常測定薄模厚度的方法有比色法、干涉法、橢偏法等。 實驗九 用橢偏儀測量薄膜厚度? 本實驗目的： 了解用橢圓偏振法測量薄膜參數(shù)的基本原理和方法； 掌握 SGC2型自動橢圓偏振測厚儀的使用方法； 用橢偏儀測量 Si襯底上的 SiO2薄膜的折射率和厚度。它反映了晶體管在共發(fā)射運用中具有電流放大作用的極限頻率 ,也是晶體管最重要的頻率參數(shù)之一。? 本實驗的目的是掌握晶體管特征頻率 fT的測試原理及測量方法 ,熟悉 fT分別隨 IE和 VCE變化的規(guī)律 ,加深其與晶體管結(jié)構設計和物理參數(shù)各工作偏置條件的理解。 3. 置規(guī)范值，改變測量 ~變化關系。在外接不同反饋網(wǎng)絡后，具有不同的運算功能。實驗十二 雙極性運算放大器參數(shù)的測試實驗十三 版圖電路分析? 實驗目的 培養(yǎng)從版圖提取電路的能力 學習版圖設計的方法和技巧 復習和鞏固基本的數(shù)字單元電路設計? 實驗內(nèi)容 反向提取給定電路模塊，要求畫出電路原 理圖，分析出其所完成的邏輯功能，并進 行仿真驗證。實驗內(nèi)容模擬半加器及一位全加器的瞬態(tài)特性。晶體管參數(shù)： Cjc=3pf； Cje=2pf；放大系數(shù)BF＝ 20； c、當 Vin為幅值 3V的交流信號時，晶體管參數(shù)不變，分析該電路的交流特性（電路交流截止頻率等）。利用其反饋特性還可用作正弦波、方波等信號的發(fā)生裝置。6V下） 對比分析測試的數(shù)據(jù)及結(jié)果。但它更需要設計者的創(chuàng)造性、空間想象力和耐性，需要設計者長期工作的經(jīng)驗和知識的積累，需要設計者對日新月異的集成電路發(fā)展密切關注和探索，總之，集成電路版圖設計不僅僅是一門技術，也是一門藝術。 （ 2）根據(jù)其邏輯關系，構建 CMOS結(jié)構的電路圖。它可以方便地確定二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度和固定電荷面密度等參數(shù)。 分別測出正、負 BT處理后的高頻 CV特性曲線。因此，為了更好地提高同學們地設計能力和對知識地掌握，本實驗并沒有選擇數(shù)字集成電路設計和雙極型模擬集成電路設計作為任務，而是選擇了MOS工藝和模擬集成電路中最重要單元電路 ――運算放大器電路作為任務。使用PSPICE進行電路的 DC特性和 AC特性模擬。隨著電子工程、通信工程、集成電路設計工程地迅速發(fā)展，電子電路模塊應用已經(jīng)極為廣泛。實驗室主要儀器設備 : 集成運算放大器測試儀 晶體管圖示儀 晶體管開關特性測試儀 高頻小功率晶體管 fT測試儀 自動橢圓偏振儀 金相顯微鏡謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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