微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)實(shí)驗(yàn)-介紹xxxx-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 ,它是一種電壓控制器件。? 場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（ MISFET）兩大類(lèi)。 熟悉場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要參數(shù)的物理意義及BJ2922B型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試儀的使用方法 實(shí)驗(yàn)五 場(chǎng)效應(yīng)晶體管參數(shù)測(cè)量實(shí)驗(yàn)六 光電導(dǎo)衰減法測(cè)量單晶硅非平衡少數(shù)載流子壽命? 半導(dǎo)體材料中的非平衡少數(shù)載流子壽命對(duì)器件的電流增益、正向壓降、開(kāi)關(guān)速度的參數(shù)起著決定性作用。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 測(cè)量 3個(gè)不同電阻率樣品的非平衡少子壽命 τ。由于擴(kuò)散雜質(zhì)與外延層雜質(zhì)的類(lèi)型不同，所以在外延層中某一個(gè)位置，其摻入雜質(zhì)濃度與外延層雜質(zhì)濃度相等，從而形成了 pn結(jié)。本實(shí)驗(yàn)采用磨角法。根據(jù)不同的需要，人們利用各種方法制備二氧化硅，用來(lái)作為器件的保護(hù)層和鈍化層，以及電性能的隔離、絕緣材料和電容器的介質(zhì)膜等。? 通常測(cè)定薄模厚度的方法有比色法、干涉法、橢偏法等。 實(shí)驗(yàn)九 用橢偏儀測(cè)量薄膜厚度? 本實(shí)驗(yàn)?zāi)康模? 了解用橢圓偏振法測(cè)量薄膜參數(shù)的基本原理和方法； 掌握 SGC2型自動(dòng)橢圓偏振測(cè)厚儀的使用方法； 用橢偏儀測(cè)量 Si襯底上的 SiO2薄膜的折射率和厚度。它反映了晶體管在共發(fā)射運(yùn)用中具有電流放大作用的極限頻率 ,也是晶體管最重要的頻率參數(shù)之一。? 本實(shí)驗(yàn)的目的是掌握晶體管特征頻率 fT的測(cè)試原理及測(cè)量方法 ,熟悉 fT分別隨 IE和 VCE變化的規(guī)律 ,加深其與晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和物理參數(shù)各工作偏置條件的理解。 3. 置規(guī)范值，改變測(cè)量 ~變化關(guān)系。在外接不同反饋網(wǎng)絡(luò)后，具有不同的運(yùn)算功能。實(shí)驗(yàn)十二 雙極性運(yùn)算放大器參數(shù)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)十三 版圖電路分析? 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 培養(yǎng)從版圖提取電路的能力 學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)的方法和技巧 復(fù)習(xí)和鞏固基本的數(shù)字單元電路設(shè)計(jì)? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 反向提取給定電路模塊，要求畫(huà)出電路原 理圖，分析出其所完成的邏輯功能，并進(jìn) 行仿真驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容模擬半加器及一位全加器的瞬態(tài)特性。晶體管參數(shù)： Cjc=3pf； Cje=2pf；放大系數(shù)BF＝ 20； c、當(dāng) Vin為幅值 3V的交流信號(hào)時(shí)，晶體管參數(shù)不變，分析該電路的交流特性（電路交流截止頻率等）。利用其反饋特性還可用作正弦波、方波等信號(hào)的發(fā)生裝置。6V下） 對(duì)比分析測(cè)試的數(shù)據(jù)及結(jié)果。但它更需要設(shè)計(jì)者的創(chuàng)造性、空間想象力和耐性，需要設(shè)計(jì)者長(zhǎng)期工作的經(jīng)驗(yàn)和知識(shí)的積累，需要設(shè)計(jì)者對(duì)日新月異的集成電路發(fā)展密切關(guān)注和探索，總之，集成電路版圖設(shè)計(jì)不僅僅是一門(mén)技術(shù)，也是一門(mén)藝術(shù)。 （ 2）根據(jù)其邏輯關(guān)系，構(gòu)建 CMOS結(jié)構(gòu)的電路圖。它可以方便地確定二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動(dòng)電荷面密度和固定電荷面密度等參數(shù)。 分別測(cè)出正、負(fù) BT處理后的高頻 CV特性曲線(xiàn)。因此，為了更好地提高同學(xué)們地設(shè)計(jì)能力和對(duì)知識(shí)地掌握，本實(shí)驗(yàn)并沒(méi)有選擇數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)和雙極型模擬集成電路設(shè)計(jì)作為任務(wù)，而是選擇了MOS工藝和模擬集成電路中最重要單元電路 ――運(yùn)算放大器電路作為任務(wù)。使用PSPICE進(jìn)行電路的 DC特性和 AC特性模擬。隨著電子工程、通信工程、集成電路設(shè)計(jì)工程地迅速發(fā)展，電子電路模塊應(yīng)用已經(jīng)極為廣泛。實(shí)驗(yàn)室主要儀器設(shè)備 : 集成運(yùn)算放大器測(cè)試儀 晶體管圖示儀 晶體管開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀 高頻小功率晶體管 fT測(cè)試儀 自動(dòng)橢圓偏振儀 金相顯微鏡謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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