微電子學(xué)概論第七章系統(tǒng)芯片soc設(shè)計-資料下載頁
2025-01-07 12:59本頁面
【正文】 ?軟、硬件的協(xié)同設(shè)計的能力 ?管理設(shè)計的經(jīng)驗和團隊合作精神 ?后端是一個高效、可靠的實現(xiàn)設(shè)計的工藝環(huán)境： ?穩(wěn)定的工藝流程 (人員和素質(zhì) ) ?豐富的經(jīng)工藝驗證過的固核 ?靈活的代工方式 (如 MPW支持等 ) ?制造、測試和封裝一體化的服務(wù) 下一頁 上一頁 SOC集成方法學(xué)研究的對象： ?信息處理算法和協(xié)議到 SOC的結(jié)構(gòu)映射 ：建立軟 、 硬件設(shè)計的統(tǒng)一框架 、 公共母線 ， 處理好數(shù)據(jù)流 、 控制流和地址流 。 ?芯核及其可復(fù)用性和可嵌入性： 以 MPU和 DSP為核建立RTOS支持的 GPIO， 實現(xiàn) MidWare支撐的 API ?高性能 、 低功耗電路與系統(tǒng) ：這是實現(xiàn)無線 、 可移動多媒體系統(tǒng)的便攜電子產(chǎn)品的關(guān)鍵 ?新型定時系統(tǒng)與異步系統(tǒng) ?模擬 、 射頻及混合信號集成電路 下一頁 上一頁 2 SOC的綜合 、 驗證與測試理論 的 研究內(nèi)容： ?芯片系統(tǒng)的行為表示理論： 預(yù)估功耗 、 互連線延時 、 噪聲 、可靠性等 SOC的高層次抽象模型和結(jié)構(gòu)化表示理論 。 ?互連線的建模 、 仿真與線網(wǎng)綜合 ：以互連線為中心的模式需要研究互連線的建模與快速仿真方法 ， 以及時鐘線網(wǎng)和電源線網(wǎng)的仿真和綜合 。 ?與物理層相關(guān)的系統(tǒng)綜合 ：當互連線決定了芯片延遲性能時 ， 融合系統(tǒng)綜合和布局綜合可解決設(shè)計不收斂的難題 。 ?從行為級到版圖級的驗證與測試生成： 復(fù)雜度使驗證和測試生成占 SOC設(shè)計時間的 50%以上 ， 必須研究新型故障模型的建模和故障模擬技術(shù) 。 ?SOC的可測試性設(shè)計： SOC中器件數(shù)與引腳數(shù)的比率大大提高 ， 如何保證 SOC的可測試性成為嚴峻的挑戰(zhàn) 。 下一頁 上一頁 用于 SOC的集成微傳感系統(tǒng) ?微觀聲 、 光 、 熱 、 力 、 電耦合與等效分析 ?微結(jié)構(gòu)動力學(xué)建模分析： 研究微觀輸運機制與非線性效應(yīng)對微傳感器敏感結(jié)構(gòu)的響應(yīng)的影響 。 ?集成微傳感器 、 陣列芯片和分析系統(tǒng)： ?研究微傳感器及其預(yù)處理電路的集成技術(shù) ?微傳感器陣列形成與信號時空預(yù)處理能力 。 ?微傳感與集成電路的兼容性： ?集成工藝的兼容性和微結(jié)構(gòu)與集成電路的兼容技術(shù) 。 ?解決 微傳感器與數(shù)字 CMOS工藝的兼容性 問題 下一頁 上一頁 面向 SOC的 小尺寸 MOS器件科學(xué)問題 研究： ?亞 MOS器件結(jié)構(gòu) ：高 K柵介質(zhì) 、 及新型柵電極 、 源漏結(jié)構(gòu)等為突破亞 MOS器件限制提供技術(shù)平臺 。 ? MOS器件模型 、 參數(shù)提取和仿真： 建立適于 SOC設(shè)計的 MOS器件模型 ， 探討參數(shù)提取及電路仿真的方法 。 ? MOS器件的可靠性分析 ：解決器件 、 互連可靠性及熱效應(yīng)問題 。 ? ：研究納米級微觀缺陷在生長和后工藝過程中的演變特征 ， 揭示相關(guān)的物理機制 ? ： X射線及電子束的新一代 。 下一頁 上一頁 適于 SOC的新材料及新器件探索與集成研究： ?低功耗高性能 SOC器件及材料： ? 1V左右電源電壓的低功耗深亞微米器件 ?研制新型低功耗高性能 SOC器件電路 。 ?射頻電路用的新器件和相關(guān)材料問題： ?SiGe、 SiGeC等新型硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料及器件研究 ?GaAs射頻模擬電路與硅 CMOS工藝不兼容對無線通訊 SOC的制約 下一頁 上一頁 作 業(yè) 簡述 SOC的概念， IP核的概念 按照描述和實現(xiàn)形式劃分， IP核的分類及其各自的特點？
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1