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正文內(nèi)容

微電子學(xué)與固體電子學(xué)-資料下載頁

2025-06-23 15:13本頁面
  

【正文】 考文獻(xiàn):1. Process in Clarendon,19822.100809030201數(shù)字集成電路理論與設(shè)計(jì)2(36)適用專業(yè):電子科學(xué)與技術(shù),電路與系統(tǒng)先修課程:數(shù)字邏輯電路、電路分析基礎(chǔ)、集成電路設(shè)計(jì)內(nèi)容概要:VLSI小尺寸器件的模型和物理問題; VLSI的原理、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)方法;集成電路中的互聯(lián);VLSI電路中的時(shí)延及各種時(shí)鐘技術(shù);VLSI的同步時(shí)鐘系統(tǒng)和異步時(shí)鐘系統(tǒng); VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法及VLSI的并行算法和體系結(jié)構(gòu);高性能數(shù)字集成電路。參考文獻(xiàn):1.Jan . Digital Integrated Circuits:A Design Perspective[M]. Prentice Hall, 19962.Wayne Wolf. Modern VLSI Design Systems on Silicon[M]. Prentice Hall, 2002100809030401模擬集成電路理論與設(shè)計(jì)3(54)適用專業(yè):電子科學(xué)與技術(shù),電路與系統(tǒng)先修課程:模擬電路基礎(chǔ)、電路分析基礎(chǔ)內(nèi)容概要:模擬集成電路概述;現(xiàn)代CMOS運(yùn)算放大器;先進(jìn)的雙極型運(yùn)算放大器;專用運(yùn)算器;集成穩(wěn)壓器;非線性模擬集成電路;開關(guān)電容、開關(guān)電流濾波器;高性能連續(xù)時(shí)間濾波器;先進(jìn)的數(shù)/模、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器;模擬電路設(shè)計(jì)方法學(xué)及發(fā)展趨勢(shì);模擬電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。參考文獻(xiàn):1.Allen , Holberg . :科學(xué)出版社,1995 2.(美) 畢查德拉扎維. 模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì). 西安:西安交通大學(xué)出版社,2003100809030501 半導(dǎo)體器件可靠性2(36)適用專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)先修課程:半導(dǎo)體器件、 微電子技術(shù)CAD的理論基礎(chǔ)內(nèi)容概要:可靠性的概念及其主要數(shù)量特征;半導(dǎo)體器件失效物理;可靠性設(shè)計(jì)可靠性與制造工藝;失效試驗(yàn)與失效分析;管理與可靠性。參考文獻(xiàn):1.張安康.半導(dǎo)體器件可靠性與失效分析.江蘇科技出版社,19862.高光渤.,1985100809030601微電子學(xué)關(guān)鍵工藝技術(shù)2(36)適用專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)先修課程:微電子學(xué)工藝原理內(nèi)容概要:離子注入技術(shù)原理;計(jì)算機(jī)模擬;鍵合技術(shù);互連線及多層互聯(lián)技術(shù);歐姆接觸技術(shù);MEMS加工技術(shù)等。參考文獻(xiàn):最近學(xué)術(shù)期刊,研究論文等。102 / 6
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