微電子學(xué)概論--chap02-資料下載頁
2024-12-28 15:55本頁面
【正文】 開態(tài)電壓無法成為設(shè)計(jì)參數(shù)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì) BJT的關(guān)鍵：的關(guān)鍵：獲得盡可能大的獲得盡可能大的 IC和盡可能小和盡可能小的的 IB當(dāng)代 BJT結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：深槽隔離多晶硅發(fā)射極167。 MOS場效應(yīng)晶體管 MOS電容結(jié)構(gòu) MOSFET 器件1. MOS 電容電容p電容的含義電容的含義pMOS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)p理想的理想的 MOS電容特性電容特性p非理想的非理想的 MOS電容特性電容特性?關(guān)于電容關(guān)于電容 平行板電容器+Q QEd+ V面積 A電容 C定義為：QVC＝斜率直流和交流時(shí)均成立一一 MOS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) ?交流電容交流電容 C定義為：+Q QEd+ V面積 A+?Q ?Q?VQVC（ V〕 ＝斜率對于理想的交流電容， C與頻率無關(guān)這里 理想 指電容中沒有能量的耗散：忽略金屬引線的電阻（超導(dǎo)線 〕介質(zhì)層不吸收能量非理想的電容：CidealRpRS半導(dǎo)體中的電容通常是交流電容例如：突變 PN結(jié)電容和平行板電容器形式一樣+VP+ Nxd偏壓改變 ?V未加偏壓時(shí)的 MOS結(jié)構(gòu)MOS 電容的結(jié)構(gòu)MOS電容中三個(gè)分離系統(tǒng)的能帶圖p 功函數(shù)無偏壓時(shí) MOS結(jié)構(gòu)中由于功函數(shù)差引起的表面能帶彎曲p 平帶電壓平帶電壓－－使表面勢為 0，所需在柵上加的偏壓。施加偏壓后的不同狀態(tài)：積累、耗盡、反型施加偏壓后的不同狀態(tài)：積累、耗盡、反型施加偏壓后的不同狀態(tài)：積累、耗盡、反型施加偏壓后的不同狀態(tài)：積累、耗盡、反型MOS場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管結(jié)型場效應(yīng)晶體管 （ JFET）金屬－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （ MESFET） MOS 場效應(yīng) 晶體管（MOSFET）SGD轉(zhuǎn)移特性曲線+提取閾值電壓+研究亞閾特性長溝MOSFET的輸出特性亞 MOSFET器件的發(fā)展趨勢N+ (P+) N+ (P+)P (N)Source Gate DrainN+(P+)作業(yè)? 描述二極管的工作機(jī)理? 討論 PNP雙極晶體管的工作原理? 簡單敘述 PMOS晶體管的開關(guān)原理謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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