微電子學(xué)概論ch2mos場效應(yīng)晶體管(已改無錯字)
2023-06-26 21:45:28 本頁面
【正文】 當(dāng) UGS較小 時，雖然在 P型襯底表面形成一層 耗盡層 ，但負(fù)離子不能導(dǎo)電。 當(dāng) UGS=UT時 , 在 P型襯底表面形成一層 電子層 ，形成 N型導(dǎo)電溝道，在 UDS的作用下形成 ID。 UT：開啟電壓、閥值電壓。 UDS ID + + + + + + + + UGS 反型層 當(dāng) UGS=0V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的 PN結(jié)，無論UDS之間加上電壓不會在 D、 S間形成電流 ID,即 ID≈0. 當(dāng) UGSUT時 , 溝道加厚，溝道電阻減少， 在相同 UDS的作用下， ID將進(jìn)一步增加 開始無導(dǎo)電溝道，當(dāng)在 UGS?UT時才形成溝道 , 這種類型的管子稱為 增強(qiáng)型 MOS管 下一頁 上一頁 MOS管襯底 偏置效應(yīng) 保證兩個 PN結(jié)反偏，源極 — 溝道 — 漏極之間處于絕緣態(tài) NMOS管 — UBS加一負(fù)壓 PMOS管 — UBS加一正壓 處理原則： 處理方法： 下一頁 上一頁 ? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場效應(yīng)管特性曲線 UDS一定時， UGS對漏極電流ID的控制關(guān)系曲線 ID=f(UGS)?UDS=C 轉(zhuǎn)移特性曲線 UGDUT UGS(V) ID(mA) UT ID與 UGS的關(guān)系為 ID≈K(UGSUT)2 溝道較短時，應(yīng)考慮 UDS對 溝道長度的調(diào)節(jié)作用： ID≈K(UGSUT)2（ 1+?UDS) K— 導(dǎo)電因子（ mA/V2) ?— 溝道調(diào)制長度系數(shù) 前提： UDS為 0或較小，使得 UGD＞ UT，相當(dāng)于晶體管導(dǎo)通 下一頁 上一頁 ? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場效應(yīng)管特性曲線 UGS一定時， ID與 UDS的變化曲線，是一族曲線 ID=f(UDS)?UGS=C 輸出特性曲線 ： ?當(dāng) UDS為 0或較小時，相當(dāng) UGD＞ UT， ?ID與 UDS的關(guān)系近線性 ID≈ 2K(UGSUT)UDS UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UDS(V
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