微電子學(xué)概論ch2mos場效應(yīng)晶體管-展示頁
2025-05-26 21:45本頁面
【正文】 + + + + P VG0 多子遠(yuǎn)離表面 + + + + + + + + + + + P VG0 耗盡層（高阻區(qū)） + + + + + + + + + + + P VG0 反型層：由少子組成，稱為溝道。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電流。 ID 下一頁 上一頁 G S D USD UGS UGSVT UGD=VT時(shí) N N 此時(shí)，電流 ID由未被夾斷區(qū)域中的載流子形成，基本不隨 USD的增加而增加，呈恒流特性。 ID 下一頁 上一頁 G S D USD UGS UGSVT UGD=VT時(shí) N N 漏端的溝道被夾斷，稱為 予夾斷。 下一頁 上一頁 UGS達(dá)到一定值時(shí)（ 夾斷電壓 VT） ,耗盡區(qū)碰到一起， DS間被夾斷， 這時(shí)，即使USD ? 0V， 漏極電流ID=0A。 但當(dāng) UGS較小時(shí)，耗盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。 ?晶體管的 輸入電阻較低 ，一般 102 104?； 場效應(yīng)管的 輸入電阻高 ，可達(dá) 109 1014? 下一頁 上一頁 晶體管的基本結(jié)構(gòu) 下一頁 上一頁 MOS場效應(yīng)晶體管 場效應(yīng)晶體管 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 （ JFET） 金屬－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （ MESFET） MOS 場效應(yīng) 晶體管（ MOSFET） 下一頁 上一頁 OUTLINE 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 MIS結(jié)構(gòu) MOS電容結(jié)構(gòu) MOSFET 下一頁 上一頁 N 基底 ： N型半導(dǎo)體 P P 兩邊是 P區(qū) G(柵極 ) S源極 D漏極 ?結(jié)構(gòu) 導(dǎo)電溝道 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 下一頁 上一頁 P N N G(柵極 ) S源極 D漏極 P溝道結(jié)型場效應(yīng)管 N P P G(柵極 ) S源極 D漏極 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 下一頁 上一
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