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場(chǎng)效應(yīng)晶體管ppt課件-展示頁(yè)

2025-05-16 00:11本頁(yè)面
  

【正文】 uration region): VDS = VGS VT ?過(guò)渡區(qū) : ?截止區(qū) ( Cut off): VGS – VT ?擊穿區(qū): PN結(jié)擊穿; 1 VGS小于等于 0的情況 :截止區(qū) – 兩個(gè)背靠背的 PN結(jié) ,源漏間阻抗很大 ,電流近似為 0。(MetalOxideSemiconductor Field Effect Transnsator) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ( FET) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ( JFET) 金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ( MESFET) MOS 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管( MOSFET) MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 在微處理器和存儲(chǔ)器方面, MOS集成電路幾乎占據(jù)了絕對(duì)位置。 促進(jìn) MOS晶體管發(fā)展的 4大技術(shù) 半導(dǎo)體表面的穩(wěn)定化技術(shù) 各種柵絕緣膜的實(shí)用化技術(shù) 自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的 MOS工藝 閾值電壓的控制技術(shù) MOSFET結(jié)構(gòu) MOSFET: MOS fieldeffect transistor 也叫:絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管( Insulated Gate, IGFET) 金屬 絕緣體 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MISFET) 電壓控制電流 —場(chǎng)效應(yīng)晶體管 分為 N溝道和 P溝道,每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型。對(duì)應(yīng)于直流伏安特性中的截止區(qū)。 VDS VGS VT ( 1) 線性區(qū): VGSVTVDS 令: K= Cox ? ?n 工藝因子 Cox :單位面積電容; ?n:電子遷移率 β N=K(W/L) 導(dǎo)電因子 則: IDS=β N[(VGSVTN)VDS/2].VDS ——線性區(qū)的電壓 電流方程 當(dāng)工藝一定時(shí), K一定, β N與( W/L)有關(guān)。所以,將以 VGSVT取代線性區(qū)電流公式中的 VDS得到飽和區(qū)的電流 —電壓表達(dá)式: 溝道夾斷 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng) MOS的電流電壓特性 ( 3)截止區(qū): VGSVT ≤0 IDS=0 IDS 輸出特性曲線 VDS 0 線性區(qū) 飽和區(qū) | VG5| |VG4| |VG3| |VG2| |VG1| VGSVT0
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