場(chǎng)效應(yīng)晶體管ppt課件(專業(yè)版)
【正文】 MOS晶體管是通過改變外加?xùn)艍旱拇笮砜刂茖?dǎo)電溝道。 VDS VGS VT （ 1） 線性區(qū)： VGSVTVDS 令： K= Cox ? ?n 工藝因子 Cox :單位面積電容； ?n：電子遷移率 β N=K(W/L) 導(dǎo)電因子 則： IDS=β N[(VGSVTN)VDS/2].VDS ——線性區(qū)的電壓 電流方程 當(dāng)工藝一定時(shí)， K一定， β N與（ W/L）有關(guān)。 V g sGN Si襯底SDIs d =I d sIdsV d d P P V d s襯底偏置（背柵）效應(yīng) 如果 MOS管的源區(qū)和襯底電壓不一致，就會(huì)產(chǎn)生襯底偏置效應(yīng)，會(huì)對(duì)閾值電壓產(chǎn)生影響： 其中： g 為襯底閾值參數(shù)或者體效應(yīng)系數(shù)； F 為強(qiáng)反型層的表面勢(shì)； VBS為襯底對(duì)源區(qū)的電壓； VT0為 VBS為 0時(shí)的閾值電壓； )(0 F???F??? BStt VVV g，襯底摻雜濃度越低，器件的閾值電壓將越小 壓有影響。 MOS 晶體管模型和模型參數(shù) L、 W 溝道長(zhǎng)度和寬度 VTO 零偏閾值電壓 KP跨導(dǎo)系數(shù)（ unCox) GAMMA 體效應(yīng)系數(shù) PHI費(fèi)米勢(shì) LAMBDA 溝道長(zhǎng)度調(diào)制系數(shù) R（ D， S）漏和源區(qū)串聯(lián)電阻 CB（ D， S）零偏 BD， BS結(jié)電容 IS 襯底結(jié)飽和電流 CGSO 單位溝道寬度柵覆蓋電容 CGBO 單位溝道寬度柵 襯底覆蓋電容 PB襯底結(jié)接觸電勢(shì) CJ 襯底結(jié)零偏勢(shì)壘電容 MJ 梯度因子， RSH薄層電阻 (1)柵自對(duì)準(zhǔn)工藝 – 在 MOS工藝水平中 ， 在柵氧化層上先利用多晶硅制做柵極 ， 在形成源漏區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散或進(jìn)行離子注入時(shí)柵極能起到掩膜的作用 ， 自動(dòng)保證了柵金屬與源漏區(qū)的對(duì)準(zhǔn)問題 ， 此技術(shù)稱為自對(duì)準(zhǔn)工藝 。 閾值電壓將發(fā)生變化加上后若襯底偏壓 ,V)2(BS2139。(MetalOxideSemiconductor Field Effect Transnsator) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （ FET） 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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