場(chǎng)效應(yīng)晶體管ppt課件-在線瀏覽
2025-06-24 00:11本頁(yè)面
【正文】 VDS =VGSVT 截止區(qū) （ 4）亞閾值區(qū) 柵電壓低于閾值電壓時(shí)， MOS管中形成弱反型層，漏電流 IDS雖然很小，但并不為 0，而時(shí)隨柵電壓成指數(shù)規(guī)律變化，稱此時(shí)的電流為弱反型電流或者亞閾值電流，它主要是由載流子擴(kuò)散引起的。 TGSDSVVIIze x p0?二、 PMOS管 I~V特性 電流 電壓表達(dá)式： 線性區(qū)： IDS=β P (|VDS||VTp||VDS|/2) |VDS| 飽和區(qū)： IDS=(β P/2)(|VGS||VTp|)178。 ，單位面積柵電容越大，閾值電壓將越小，柵氧化層厚度應(yīng)綜合考慮 一般通過(guò)改變襯底摻雜濃度調(diào)整器件的閾值電壓 MOS晶體管類別 按載流子類型分： NMOS: 也稱為 N溝道，載流子為電子。 按導(dǎo)通類型分： 增強(qiáng)型： 耗盡型： 四種 MOS晶體管： N溝增強(qiáng)型； N溝耗盡型； P溝增強(qiáng)型； P溝耗盡型 （ 1） N溝增強(qiáng)： D GSN+ N+P SiSGDVDS VGS=VT IDS VGS VT IDS (b)N溝耗盡： D GSN+ N+P SiSGDVDS VGS=VT IDS VGS VT IDS VGS=0 （ C） P溝增強(qiáng) D GSP+ P+N SiSGDV ds ()V g= V tIds ()V gs () VtIds ()（ d） P溝耗盡 D GSP+ P+N SiSGDV ds ()V g=V tIds ()V gs () VtIds ()V g=0截止區(qū)： 非飽和區(qū) (線性區(qū)和過(guò)渡區(qū) )： 飽和區(qū) TGSD VVI ?? ,0D s a tDSTGSDSDSTGSXnDVVVVVVVVLWCI?????,]21)[( 20?D s a tDSTGSTGSXnD s a tDVVVVVVLWCII?????,
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