場效應(yīng)管ppt課件-在線瀏覽
2025-03-03 13:19本頁面
【正文】 P 型襯底 (摻雜濃度低 ) N+ N+ 用擴散的方法 制作兩個 N 區(qū) 在硅片表面生一層薄 SiO2 絕緣層 S D 用金屬鋁引出源極 S 和漏極 D G 在絕緣層上噴金屬鋁引出柵極 G B 耗 盡 層 S — 源極 Source G — 柵極 Gate D — 漏極 Drain S G D B 1. 工作原理 絕緣柵場效應(yīng)管利用 UGS 來控制 “ 感應(yīng)電荷 ” 的多少 ， 改變由這些 “ 感應(yīng)電荷 ” 形成的導(dǎo)電溝道的狀況 ，以控制漏極電流 ID。 S B D (2) UDS = 0， 0 UGS UGS(th) P 型襯底 N+ N+ B G S D 柵極金屬層將聚集正電荷 ， 它們排斥 P型襯底靠近 SiO2 一側(cè)的空穴 ， 使之剩下不能移動的負離子區(qū) ，形成耗盡層 。 這個反型層就構(gòu)成了漏源之間的導(dǎo)電溝道 。UGS越大 ， 反型層越厚 ， 導(dǎo)電溝道電阻越小 。漏極形成電流 ID 。 c. UDS UGS – UGS(th)， UGD UGS(th) 由于夾斷區(qū)的溝道電阻很大 ， UDS 逐漸增大時 ， 導(dǎo)電溝道兩端電壓基本不變 ， iD因而基本不變 。 此時， 可以把 iD近似看成是 uGS控制的電流源。 (當 UGS UGS(th) 時 ) 三個區(qū)：可變電阻區(qū) 、恒流區(qū) (或飽和區(qū) )、 夾斷區(qū) 。 UGS增加 uiI 2GSD DOG S ( t h )( 1 )U=二、 N 溝道耗盡型 MOS 場效應(yīng)管 P型襯底 N+ N+ B G S D ++++++ 制造過程中預(yù)先在二氧化硅的絕緣層中摻入正離子 ，這些正離子電場在 P 型襯底中 “ 感應(yīng) ” 負電荷 ， 形成 “ 反型層 ” 。 ++++++ UGS = 0， UDS 0， 產(chǎn)生較大的漏極電流； UGS 0， 絕緣層中正離子感應(yīng)的負電荷減少 ， 導(dǎo)電溝道變窄 ， iD 減小； UGS = UGS(off) , 感應(yīng)電荷被 “ 耗盡 ” ， iD ? 0。 iD/mA uGS /V O UGS(off) (a)轉(zhuǎn)移特性 IDSS 耗盡型 MOS 管的符號 S G D B (b)輸出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS=0 ?3 V ?1 V ?2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 N 溝道耗盡型 MOSFET 三、 P溝道 MOS管 MOS管 的開啟電壓 UGS(th) 0 當 UGS UGS(th) ， 漏 源之間應(yīng)加負電源電壓 管子才導(dǎo)通 ,空穴導(dǎo)電 。 S G D B P溝道 S G D B P溝道 注意事項 （ 1） MOS管柵、 源極之間的電阻很高 , 使得柵極的感應(yīng)電荷不易泄放 , 因極間電容很小 , 故會造成電壓過高使絕緣層擊穿。 （ 3） 使用場效應(yīng)管時各極必須加正確的工作電壓。 種 類 符 號 轉(zhuǎn)移特性曲線 輸出特性曲線 結(jié)型 N 溝道 耗盡型 結(jié)型 P 溝道 耗盡型 絕緣 柵型 N 溝道 增強型 S G D S G D + + + o S G D B uGS iD O UT 各類場效應(yīng)管的符號和特性曲線 + UGS = UT uDS iD + + + O iD UGS= 0V uDS O uGS iD UP IDSS O uGS iD /mA UP IDSS O 種 類 符 號 轉(zhuǎn)移特性曲線 輸出特性曲線 絕緣 柵型 N 溝道 耗盡型 絕緣 柵型 P 溝道 增強型
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1