潘場效應(yīng)管放大器ppt課件-在線瀏覽
2025-06-18 08:45本頁面
【正文】 絕緣柵型場效應(yīng)管 ( Metal Oxide Semiconductor ) —— MOSFET N溝道 P溝道 增強(qiáng)型 N溝道 P溝道 耗盡型 增強(qiáng)型 (N溝道 、 P溝道 ), VGS=0 時無導(dǎo)電溝道， iD=0 耗盡型 (N溝道 、 P溝道 )， VGS=0 時已有導(dǎo)電溝道。 絕緣層目前常用二氧化硅，故又稱金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱 MOS場效應(yīng)管 。 N溝道 增強(qiáng)型 場效應(yīng)管 的工作原理 （ 1） . 柵源電壓 VGS的控制作用 當(dāng) VGS=0V時 ，因為漏源之間被兩個背靠背的 PN結(jié)隔離，因此，即使在 D、 S之間加上電壓 , 在 D、 S間也不可能形成電流。漏源間仍無載流子的通道。 通過柵極和襯底間的電容作用，將柵極下方 P型襯底表層的空穴向下排斥，同時，使兩個 N區(qū)和襯底中的自由電子吸向襯底表層，并與空穴復(fù)合而消失，結(jié) N溝道 增強(qiáng)型 場效應(yīng)管 的工作原理 的 N型溝道。這時，若在漏源間加電壓 VDS，就能產(chǎn)生漏極電流 I D， 即管子開啟。這樣， 就實現(xiàn)了輸入電壓 VGS 對輸出電流 I D 的控制 。 形成 N源區(qū)到 N漏區(qū) VDSI D 柵源電壓 VGS對漏極電流 ID的控制作用 2 .漏源電壓 VDS對溝道導(dǎo)電能力的影響 當(dāng) VGS＞ VT且固定為某值的情況下， 若給漏源間加正電壓 VDS則源區(qū)的自由電子將沿著溝道漂移到漏區(qū)，形成漏極電流 ID， 當(dāng) ID從 D ? S流過溝道時，沿途會產(chǎn)生壓降，進(jìn)而導(dǎo)致沿著溝道長度上柵極與溝道間的電壓分布不均勻 。 可見，在 VDS作用下導(dǎo)電溝道的深度是不均勻的，溝道呈錐形分布。 A 當(dāng) VDS為 0或較小時 ， VGD＞VT， 此時 VDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。源區(qū)的自由電子在 VDS電場力的作用下，仍能沿著溝道向漏端漂移，一旦到達(dá)預(yù)夾斷區(qū)的邊界處，就能被預(yù)夾斷區(qū)內(nèi)的電場力掃至漏區(qū)，形成漏極電流。由于預(yù)夾斷區(qū)呈現(xiàn)高阻，而未夾斷溝道部分為低阻，因此， VDS增加的部分基本上降落在該夾斷區(qū)內(nèi)，而溝道中的電場力基本不變，漂移電流基本不變，所以，從漏端溝道出現(xiàn)預(yù)夾斷點開始， ID基本不隨 VDS增加而變化。 其量綱為 mA/V，稱 gm為跨導(dǎo) 。 因此，使用時 無須加開啟電壓（ VGS=0），只要加漏源電壓，就會有漏極電流。 VGS＜ 0時，隨著 VGS 的減小 ID 逐漸減小，直至 ID=0。 耗盡型 MOSFET的特性曲線 絕緣柵場效應(yīng)管 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 場效應(yīng)三極管的參數(shù)和型號 一、 場效應(yīng)三極管的參數(shù) 1. 開啟電壓 VT 開啟電壓是 MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 , 場效應(yīng)管不能導(dǎo)通 。 3. 飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場效應(yīng)三極管 , 當(dāng) VGS=0時所對應(yīng)的漏
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