結(jié)型場效應(yīng)管ppt課件-在線瀏覽
2025-06-20 04:06本頁面
【正文】 g s d vDS vGS N N iD + + P＋ P＋ 源極：反偏電壓vGS最小溝道最寬 漏極： 反偏電壓vGD＝ vGS－ vDS最大，溝道最窄 （ 1） vGDVP即vDSvGSVP時 ， 導(dǎo)電溝道不均勻 vDS增大則被夾斷區(qū)向下延伸。 iD/mA V DS/V 0 5 10 15 20 25 PGSDS Vvv ??PGSDSPGSVvvVv??? 非飽和區(qū) iD同時受 vGS和vDS的控制 飽和區(qū) PGSDSPGSVvvVv???PGS Vv ?截至區(qū) 1V vGS=0V 2V 擊穿區(qū) 二、 NJFET輸出特性曲線 22( ) (1 )GSD n G S P D S SPVI K v V IV? ? ? ?22 ( )D n G S P D S D SI K v V v v??? ? ???VP=2V iD/mA vDS/V 0 5 10 15 20 25 2 1 0 1 2 iD/mA v GS/V 1V vGS=0V 2V 一定 vDS下的 iDvGS曲線 IDSS 飽和漏極電流 夾斷電壓 NJFET轉(zhuǎn)移特性曲線 VP=5V iD/mA － vDS/V 0 5 10 15 20 25 1V 3V vGS=0V 4V 5V 三、 PJFET d g s （輸出特性） （轉(zhuǎn)移特性） （符號） 0 1 2 3 4 5 iD/mA v GS/V IDSS 結(jié)構(gòu) 工作原理 轉(zhuǎn)移特性 輸出特性 結(jié)型場效應(yīng)管－演示 一、偏置電路及靜態(tài)分析 自偏壓電路（用于耗盡型） 2(1 )G S D SGSD D S SPV I RVIIV????? ????○ ○ ○ ○ ○ ● ● ● ● ● ● Cb1 Rg Rs C Cb2 Rd T + + vi vo VDD
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鄂ICP備17016276號-1