場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-在線瀏覽
2025-03-03 13:09本頁(yè)面
【正文】 2)( TGSnD VKi ?? v22 1 )(TGSTn ?? VVKv21 )(TGSDO ?? VIv2TnDO VKI ? 是 vGS＝ 2VT時(shí)的 iD VI 特性： 3. VI 特性曲線及大信號(hào)特性方程 （ 2）轉(zhuǎn)移特性 c on s t .GSD DS)( ?? vvfi21 )(TGSDOD ?? VIiv P溝道 MOSFET N增強(qiáng)型 N耗盡型 MOSFET放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 2. 圖解分析 3. 小信號(hào)模型分析 * 帶 PMOS負(fù)載的 NMOS放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路 （ N溝道） 共源極放大電路 直流通路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路 （ N溝道） DDg2g1g2GS VRRRV??2)( TGSnD VVKI ??dDDDDS RIVV ??假設(shè)工作在飽和區(qū) ， 即 )(TGSDS VVV ??驗(yàn)證是否滿足 )(TGSDS VVV ??如果不滿足 ， 則說(shuō)明假設(shè)錯(cuò)誤 須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū) 再假設(shè)工作在可變電阻區(qū) )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2假設(shè)工作在飽和區(qū) 滿足 )(TGSDS VVV ??假設(shè)成立 ， 結(jié)果即為所求 。 2. 工作原理 （ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用 在預(yù)夾斷處： vGD=vGSvDS =VT 預(yù)夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長(zhǎng) ?溝道電阻 ? ? iD基本不變 2. 工作原理 （ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用 2. 工作原理 （ 3） vDS和 vGS同時(shí)作用時(shí) vDS一定， vGS變化時(shí) 給定一個(gè) vGS ，就有一條不同的 iD – vDS 曲線。 當(dāng) vGS≥ VT 時(shí) 在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場(chǎng)效應(yīng)管
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