場效應(yīng)管及其基本放大電路-在線瀏覽
2025-03-09 03:28本頁面
【正文】 1) P 溝道和 N溝道結(jié)構(gòu)及電路符號 N 溝 道 G門極 D漏極 S源極 g d s N溝道結(jié)構(gòu)及電路符號 P 溝 道 G門極 D漏極 S源極 g d s P溝道結(jié)構(gòu)及電路符號 2)工作等效（以 P溝道為例） Ugs Is Id 1） PN結(jié)不加 反向 電壓（ Ugs)或加的電壓不足以使 溝道閉合 時。溝道導(dǎo)通，電阻很小，并且 阻值隨溝道的 截面 積減少 而 增大 。 UGS=0： ID=IDSS 電路圖 等效圖 2）恒流工作（電壓控制電流源） G ID + RD VDD D S PN結(jié)加 反向 電壓（ Ugs) 使 溝道微 閉合 時電流 ID與 UDS無關(guān)， 稱 恒流區(qū)。 VGS=0，時的 ID uds id vgs=常數(shù) vgs id Uds=常數(shù) ?uGS ? id 5)極限參數(shù)： V（ BR） DS、漏極的附近發(fā)生雪崩擊穿。 PDM 最大漏極允許功耗 ，與三極管類似。稱為轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線。 當(dāng) UGS=UT時 , 在 P型襯底表面形成一層 電子層 ，形成 N型導(dǎo)電溝道，在 UDS的作用下形成 ID。— 本征導(dǎo)電因子 Sect ? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場效應(yīng)管特性曲線 UGS一定時， ID與 UDS的變化曲線，是一族曲線 ID=f(UDS)?UGS=C 輸出特性曲線 ： ID與 UDS的關(guān)系近線性 ID≈ 2K(UGSUT)UDS 0dUDDSon GSdIdUR??2K1UU1TGS???UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) 當(dāng) UGS變化時， RON將隨之變化 因此稱之為 可變電阻區(qū) 當(dāng) UGS一定時， RON近似為一常數(shù) 因此又稱之為 恒阻區(qū) Sect ? N溝道 增強(qiáng)型 MOS場效應(yīng)管特性曲線 輸出特性曲線 2. 恒流區(qū) ： 該區(qū)內(nèi)， UGS一定， ID基本不隨 UDS變化而變 ： UDS 增加到某一值時，ID開始劇增而出現(xiàn)擊穿。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) Sect ? 漏源電壓 UDS對漏極電流 ID的控制作用 UDS=UDG＋ UGS =－ UGD＋ UGS UGD=UGS－ UDS 當(dāng) UDS為 0或較小時， 相當(dāng) UGD＞ UT， 此時 UDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。此時的 漏極電流 ID 基本飽和 此時預(yù)夾斷區(qū)域加長，伸向 S極。 ? MOS管襯底的處理 保證兩個 PN結(jié)反偏，源極 — 溝道 — 漏極之間處于絕緣態(tài) NMOS管 — UBS加一負(fù)壓 PMOS管 — UBS加一正壓 處理原則： 處理方法： Sect ? N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu) MOS場效應(yīng)管 + + + + + + + ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 耗盡型 MOS管存在 原始導(dǎo)電溝道 Sect ? N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管工作原理 當(dāng) UGS=0時， UDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流 ID, 此時的漏極電流稱為 漏極飽和電流 ，用IDSS表示 當(dāng) UGS＞ 0時，將使 ID進(jìn)一步增加 。直至 ID=0。 UGS(V) ID(mA) ? N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 在恒流區(qū)， ID與 UGS的關(guān)系為 ID≈K(UGSUP)2 溝道較短時， ID≈K(UGSUT)2（ 1+?UDS) UP ID≈ IDSS(1 UGS /UP)2 常用關(guān)系式： Sect ? N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管特性曲線 輸出特性曲線 UGS=6V UGS=4V UGS=1V UGS=0V UGS=1V UGS(V) ID(mA) N溝道 耗盡型 MOS管可工作在 UGS?0或 UGS0 N溝道 增強(qiáng)型 MOS管只能工作在 UGS0 Sect 絕緣柵場效應(yīng)管 N 溝 道 增 強(qiáng)
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