【摘要】場(chǎng)效應(yīng)管概述場(chǎng)效應(yīng)管是繼三極管之后發(fā)展起來(lái)的另一類具有放大作用的半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單,在集成電路中占有重要地位。本章講述場(chǎng)效應(yīng)管的類型、工作原理、特性及其三組態(tài)電路等基本知識(shí)。第四章場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路學(xué)習(xí)方法:學(xué)習(xí)本章內(nèi)容時(shí),應(yīng)特別注意
2025-07-11 22:04
【摘要】場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同,它是多子導(dǎo)電,輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:N溝道P溝道耗盡型增強(qiáng)型耗盡型增強(qiáng)型N溝道P溝道§5場(chǎng)效應(yīng)管放大電路G(柵極)S源極D漏極1、結(jié)構(gòu)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(
2025-03-03 13:04
【摘要】場(chǎng)效應(yīng)管FieldEffectTransistor、命名、標(biāo)識(shí)、結(jié)構(gòu)MOSFET的基本知識(shí)場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。這種器件不僅兼有體積小、重量輕、耗電省、封裝外型腳數(shù)少、散熱好、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),而且還有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好
2025-06-20 22:02
【摘要】結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效管應(yīng)用原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管第三章場(chǎng)效應(yīng)管概述場(chǎng)效應(yīng)管是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。它體積小、工藝簡(jiǎn)單,器件特性便于控制,是目前制造大規(guī)模集成電路的主要有源器件。場(chǎng)效應(yīng)管與三極管主要區(qū)別:?場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻遠(yuǎn)大于三極管輸入電阻。?場(chǎng)效應(yīng)管是單極型器件(三極管是雙極型器件)。
2024-09-04 18:53
【摘要】第3章場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用?場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用?場(chǎng)效應(yīng)及其放大電路場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管兩類。1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理1)如圖(a)所示,
2025-07-18 00:19
【摘要】2022年2月9日星期三第四章14場(chǎng)效應(yīng)管放大電路引言2022年2月9日星期三第四章2?場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的特點(diǎn):體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng);輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單。?主要用途:大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。?分類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)、金屬-氧化
2025-03-01 10:38
【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電
2025-05-09 06:18
【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET的主要參數(shù)N溝道耗盡型MOSFETP溝道MOSFET溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型
2025-03-03 13:09
【摘要】NPPg(柵極)s源極d漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)基底:N型半導(dǎo)體兩邊是P區(qū)導(dǎo)電溝道dgs結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管PNNg(柵極)s源極d漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)基底:P型半導(dǎo)體兩邊是N區(qū)導(dǎo)電溝道dgsN
2025-06-20 04:06
【摘要】1第四章晶體管及其小信號(hào)放大-場(chǎng)效應(yīng)管放大電路電子電路基礎(chǔ)2§4場(chǎng)效應(yīng)晶體管及場(chǎng)效應(yīng)管放大電路§場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道
2025-06-24 00:12
【摘要】結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管放大電路各種放大器件電路性能比較*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。特點(diǎn):輸入電阻高、噪聲低、熱穩(wěn)定性能好、抗輻射能力強(qiáng)。主要用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。單極型晶體管常用于數(shù)字集成電路
2025-06-20 01:48
【摘要】第5章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路場(chǎng)效應(yīng)管1.特點(diǎn):(1)導(dǎo)電能力由電壓控制的半導(dǎo)體器件。(2)僅靠多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。(3)體積小、耗電少、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),(4)輸入電阻高、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲低、制造工藝簡(jiǎn)單、便于集成等特點(diǎn)。(5)廣泛用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。N溝
【摘要】結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理JFET的特性曲線及參數(shù)JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)#符號(hào)中的箭頭方向表示什么?2.工作原理①vGS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)vGS<0時(shí)(以N溝道JFET為例)
【摘要】第四章場(chǎng)效應(yīng)管放大器●導(dǎo)電溝通:從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分,它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件?!駡?chǎng)效應(yīng)管:場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子(多子)導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。●分類:按照?qǐng)鲂?yīng)三極管
2025-06-18 08:45