場效應(yīng)管放大器ppt課件-在線瀏覽
2025-06-24 00:12本頁面
【正文】 (2) 僅靠多數(shù)載流子導(dǎo)電 ,又稱 單極型 晶體管。 (5)廣泛用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。 當(dāng) |UGS|較小時，耗盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。 溝道 夾斷 時（ 夾斷電壓 VP） ,耗盡區(qū)碰到一起， DS間被夾斷， 這時，即使 UDS ? 0V，漏極電流 ID=0A。當(dāng) VDS增加到使 VGD=VGSVDS =VP 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)。 * 在柵源間加電壓 VGS，漏源間加電壓 VDS。 溝道夾斷前， iD 與 vDS 近似呈線性關(guān)系。 DVD SI( m A )( V )vG S= 0 V 1 V 2 V 3 V 4 V 5 V 伏安特性曲線及參數(shù) 輸出特性曲線： CVDSD GS)(Vfi ??（ 1）可變電阻區(qū) 可變電阻區(qū) 條件： 源端與漏端溝道都不夾斷 VV PGS ? D S G S PV V V??特點(diǎn) : 1)當(dāng) vGS 為定值時 , 管子的漏源間呈線性電阻，且其阻值受 vGS 控制 。 用途： 做 壓控線性電阻 和無觸點(diǎn) 電子開關(guān) 。 特點(diǎn) : ① 受控性： 輸入電壓 vGS 控制輸出電流 用途 : 可做 放大器 和 恒流源 。 條件： 整個溝道都夾斷 VV PGS ?0?iD特點(diǎn)： （ 4）擊穿區(qū) 當(dāng)漏源電壓增大到 時 VV DSBRDS )(? V(BR)DS一般為 （ 20— 50） V之間 。管子 不能在擊穿區(qū)工作 。 其量綱為 mA/V。 N溝道 增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管 NMOS 漏極 D 金屬電極 結(jié)構(gòu) 柵極 G 源極 S SiO2絕緣層 P型硅襯底 高摻雜 N區(qū) 金屬 柵極和其它電極及硅片之間是絕緣的，稱 絕緣柵型場效應(yīng)管 。 絕緣層目前常用二氧化硅，故又稱金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱 MOS場效應(yīng)管 。 當(dāng) 0＜ VGS＜ VT (開啟電壓 )時 由柵極和襯底間的電場作用， 將柵極下方 P型襯底表層的空穴向下排斥 , 電子向上吸引， 復(fù)合形成一薄層離子耗盡層。管子仍不能導(dǎo)通，處于截止?fàn)顟B(tài)。 形成源區(qū)到漏區(qū)的 N型溝道。 VGS越大，溝道越寬，溝道電阻越小 ,在同樣 VDS 電壓作用下， I D 越大。 這時，若在漏源間加電壓 VDS，就能產(chǎn)生漏極電流 I D， 即管子開啟。 ● S端電壓最大 (為 VGS )，感生的溝道最寬； D端電壓最小 （為 VGD=VGSVDS）感生的溝道窄； 溝道呈錐形分布。 當(dāng) VDS為 0或較小時 ， VGD＞ VT，此時 VDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。 當(dāng) VDS增加到使 VGD?VT時，預(yù)夾斷點(diǎn)向源極端延伸成小的夾斷區(qū)。 MOSFET的 特性曲線 VVV TGSDS ?? VI特性表達(dá)式不做要求 — VGS對 ID的控制特性 轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率 gm 的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1