場效應(yīng)管電源設(shè)計(jì)ppt課件-在線瀏覽
2025-06-24 00:12本頁面
【正文】 某些場合仍嫌不夠高。 絕緣柵場效應(yīng)管可以很好地解決這些問題。 12 絕緣柵型場效應(yīng)三極 MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。 絕緣柵場效應(yīng)管（ MOS) 13 一 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 1 結(jié)構(gòu) 14 2 工作原理 (1) VGS=0V時(shí) ，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的 二極管，在 D、 S之間加上電壓不會在 D、 S間形成電流。這如同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣。 場效應(yīng)管的參數(shù)和型號 一 場效應(yīng)管的參數(shù) ① 開啟電壓 VGS(th) (或 VT) 開啟電壓是 MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 , 場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。 ③ 飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場效應(yīng)三極管 , 當(dāng) VGS=0時(shí)所對應(yīng)的漏極電流 23 ④ 輸入電阻 RGS 場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值 ， 對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時(shí) RGS約大于 107Ω，對于絕緣柵型場效應(yīng)三極管 , RGS約是 109～ 1015Ω。 gm可以在 轉(zhuǎn)移特性曲線上求取，也可由電流方程求得 DSGSDm Vvig???時(shí)）（當(dāng) ?????????? 0)1(2GSPPPGSD S Sm ????? vVVVvIg24 ⑥ 最大漏極功耗 PDM 最大漏極功耗可由 PDM= VDS ID決定，與雙極型 三極管的 PCM相當(dāng)。 其一是與雙極型三極管相同，第三位字母 J代表結(jié)型場效應(yīng)管， O代表絕緣柵場效應(yīng)管。例如 ,3DJ6D是結(jié)型 N溝道場效應(yīng)三極管， 3DO6C是絕緣柵型 N溝道場效應(yīng)三極管。例如 CS14A、 CS45G等。 場效應(yīng) 放大電路 (1) 靜態(tài)：適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn)，使場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，場效應(yīng)管的偏置電路相對簡單。 組成原則： 靜態(tài)分析： 估算法、圖解法。 分析方法： 30 場效應(yīng)管的直流偏置電路及靜態(tài)分析 一 自偏壓電路 vGS Q點(diǎn)： VGS 、 ID 、 VDS vGS = 2PGSD S SD )1( VvIi ??VDS = VDD ID (Rd + R ) iDR 31 二 分壓式偏置電路 SV??GSV GVDDg2g1g2
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