第422場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路-在線瀏覽
2025-07-11 22:04本頁(yè)面
【正文】 襯底引線 P SiO2 2. MOSFET的工作原理 N+ N+ S G D 在一塊 P 型硅襯底上擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的 N 型區(qū)，分別作為源極 S 和漏極 D ，在 S 和 D 之間的 P 型襯底平面上利用氧化工藝生長(zhǎng)一層薄的 S i O 2 絕緣層，并引出 G ，在襯底上引出接觸電極－襯底 （引線）電極。 VGS/V 四 . 電流 — 電壓關(guān)系（由半導(dǎo)體電路基本理論得到） 電阻區(qū)： ID ? ?? ?22DSDSTNGSn VVVVK ??? 放大區(qū)： Kn 為 N溝道元件的傳導(dǎo)參數(shù) (已知 ) 。 (重點(diǎn) ) MOSFET的偏置電路 (重點(diǎn) ) MOSFET放大電路的直流偏置 MOSFET放大電路的直流偏置 分離 MOSFET電路的直流偏置 MOSFET偏置 CS放大電路 分離 MOSFET電路的直流偏置 MOSFET偏置 CS電路 靜態(tài)工作點(diǎn) Q (ICQ,IBQ,UCEQ) 基極分壓射極偏置電路 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 工程上取 510倍 。則 G極電位： VG=VGS=R2/（ R1+R2） VDD =VDDIDRD 可解出 Q點(diǎn)的 UGS 、 ID 、 UDS 電壓關(guān)系（放大區(qū) ?） ID=Kn（ VGSVTN） 2 Kn為 N溝道元件的電導(dǎo)參數(shù) (已知 )； VT— 開啟電壓。 電路如圖所示。 求 VGS,ID和 VDS。 說(shuō)明：如果不滿足 VVsatDSDS )(?漏極電流 ID的計(jì)算要采用公式： ，則場(chǎng)效應(yīng)管處于電阻區(qū)， ? ?? ?22 DSDSTNGSnD VVVVKI ???不在截止區(qū) [例 ]目的：計(jì)算 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET的 Q。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為 VTN=1V，Kn=。
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1