場(chǎng)效應(yīng)管ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-01-14 13:19本頁(yè)面
【正文】 N溝道耗盡型MOS管 N溝道增強(qiáng)型型 MOS管 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 一、直流參數(shù) 1. 飽和漏極電流 IDSS 2. 夾斷電壓 UP 或 UGS(off) 3. 開(kāi)啟電壓 UT 或 UGS(th) 4. 直流輸入電阻 RGS 為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)重要參數(shù)。 為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)重要參數(shù)。 為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型MOS管）的一個(gè)重要參數(shù)。 輸入電阻很高。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一般在 107 ? 以上， 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管更高，一般大于 109 ?。 二、交流參數(shù) 1. 低頻跨導(dǎo) gm 2. 極間電容 用以描述柵源之間的電壓 uGS 對(duì)漏極電流 iD 的控 制作用。 UiguDSDmGS c on stΔΔ ==單位： iD 毫安 (mA)； uGS 伏 (V)； gm 毫西門子 (mS) 這是場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的等效電容 ， 包括 Cgs、 Cgd、 Cds。 極間電容愈小 ， 則管子的高頻性能愈好 。 一般為幾個(gè)皮法 。 三、極限參數(shù) 3. 漏極最大允許耗散功率 PDM U(BR)DS 4. 柵源擊穿電壓 U(BR)GS 由場(chǎng)效應(yīng)管允許的溫升決定 。 漏極耗散功率轉(zhuǎn)化為 熱能使管子的溫度升高 。 當(dāng)漏極電流 ID 急劇上升產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的 UDS 。 場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí) ， 柵源間 PN 結(jié)處于反偏狀態(tài) ， 若 UGS U(BR)GS ， PN 將被擊穿 ， 這種擊穿與電容擊 穿的情況類似 ， 屬于破壞性擊穿 。 IDM 例 2 電路如圖 ，其中管子 T的輸出特性曲線如圖 。試分析 ui為 0V、 8V和 10V三種情況下 uo分別為多少伏？ 圖 圖 分析： N溝道增強(qiáng)型 MOS管，開(kāi)啟電壓 UGS(th) ＝ 4V 解 (1) ui為 0V ，即 uGS＝ ui＝ 0，管子處于夾斷狀態(tài) 所以 u0＝ VDD ＝ 15V (2) uGS＝ ui＝ 8V時(shí)， 從輸出特性曲線可知，管子工作 在恒流區(qū)， iD＝ 1mA， u0＝ uDS ＝ VDD iD RD ＝ 10V (3) uGS＝ ui＝ 10V時(shí)， 若工作在恒流區(qū)， iD＝ 。因而 u0＝ 15 *5 ＝ 4V 但是， uGS ＝ 10V時(shí)的預(yù)夾斷電壓為 uDS= uGS – UT=(104)V=6V 可見(jiàn)，此時(shí)管子工作在可變電阻區(qū) 從輸出特性曲線可得 uGS ＝ 10V時(shí) ds之間的等效電阻 (D在可變電阻區(qū)，任選一點(diǎn)，如圖 ) dsdsDuR Ω K Ωi 33( ) 31 1 0 =? 180。所以輸出電壓為 dsDDd s dRu V VRR0 5 . 6= 坊+晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)構(gòu) NPN型、 PNP型 結(jié)型耗盡型 N溝道 P溝道 絕緣柵增強(qiáng)型 N溝道 P溝道 絕緣柵耗盡型 N溝道 P溝道 C與 E一般不可倒置使用 D與 S有的型號(hào)可倒置使用 載流子 多子擴(kuò)散少子漂移 多子運(yùn)動(dòng) 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流源 CCCS(β) 電壓控制電流源 VCCS(gm) 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較 噪聲 較大 較小 溫度特性 受溫度影響較大 較小，可有零溫 度系數(shù)點(diǎn) 輸入電阻 幾十到幾千歐姆 幾兆歐姆以上 靜電影響 不受靜電影響 易受靜電影響 集成工藝 不易大規(guī)模集成 適宜大規(guī)模和 超大規(guī)模集成 晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1